[實用新型]GaN基LED外延片

有效

• 申請號: 201320598427.7
• 申請日: 2013-09-27
• 公開（公告）號: CN203491288U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 肖懷曙;謝春林
• 申請（專利權）人: 惠州比亞迪實業有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN基LED外延片，其特征在于，包括：

襯底；和

外延層，所述外延層位于所述襯底之上，包括依次堆疊的以下結構層：

N型GaN層；

位于所述N型GaN層一側的第一InGaN/GaN多量子阱層；

位于所述第一InGaN/GaN多量子阱層一側的第二InGaN/GaN多量子阱層；

位于所述第二InGaN/GaN多量子阱層一側的P型GaN層，其中，

所述第一InGaN/GaN多量子阱層中的阱層厚度為D1，第二InGaN/GaN多量子阱層中的阱層厚度為D2，D1<D2。

2.如權利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，0<D2-D1<1.5nm。

3.如權利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一InGaN/GaN多量子阱層中的阱層厚度為2nm~3nm。

4.如權利要求2所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第二InGaN/GaN多量子阱層中的阱層厚度為2nm~4.5nm。

5.如權利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，所述第一InGaN/GaN多量子阱層的阱層/壘層周期數2≤N1≤6，且N1為整數，并且，所述第二InGaN/GaN多量子阱層的阱層/壘層周期數2≤N2≤6，且N2為整數。

6.如權利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，還包括：位于所述襯底與所述外延層之間的本征GaN層。

7.如權利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，還包括：位于所述N型GaN層與第一InGaN/GaN多量子阱層之間的應力釋放層。

8.如權利要求1所述的GaN基LED外延片，其特征在于，還包括：位于所述第二InGaN/GaN多量子阱層與所述P型GaN層之間的電子阻擋層。

9.如權利要求1-8任一項所述的GaN基LED外延片，其特征在于，還包括：輔助InGaN/GaN多量子阱層，所述輔助InGaN/GaN多量子阱層位于所述N型GaN層與所述第一InGaN/GaN多量子阱層之間且緊鄰所述第一InGaN/GaN多量子阱層，用于調節所述GaN基LED外延片的量子阱總體周期數。