[實用新型]一種低壓振蕩器

有效

• 申請號: 201320595937.9
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN203491975U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 王釗
• 申請（專利權）人: 無錫中星微電子有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 戴薇

【技術領域】

本實用新型涉及振蕩器領域，特別涉及一種簡化型低壓振蕩器。

【背景技術】

振蕩器（oscillator）是一種能量轉換裝置，其可以將直流電能轉換為具有一定頻率的交流電能，是電子電路中用來產生重復電子訊號（比如，正弦波、鋸齒波或方波等）的電子元件。在現有技術中，振蕩器被廣泛應用于DC-DC開關電源，鋰電池保護電路、鋰電池充電電路、復位器等系統中。

請參考圖1所示，其為現有技術中的一種振蕩器的電路示意圖。隨著輸入電源電壓VDD的降低，該振蕩器由于輸入電壓限制而停止工作。由于該振蕩器需要的最低工作電壓為Max{V_GSN1+V_GSN2+V_DSP1，V_GSN1+V_DSN2+V_GSP2}。其中，V_GSN1為NMOS（N-Channel?Metal?Oxide?Semiconductor）晶體管MN1的柵源電壓，在一般5V的CMOS（Complementary?Metal?Oxide?Semiconductor）工藝中，一般大于0.7V；V_GSN2為NMOS晶體管MN2的柵源電壓，考慮到襯偏效應(Body?Effect)，一般大于0.8V；V_DSP1為PMOS（P-Channel?Metal?Oxide?Semiconductor）晶體管MP1的漏源電壓，一般大于0.1V；V_DSN2為NMOS晶體管MN2的漏源電壓，一般大于0.1V；V_GSP2為PMOS晶體管MP2的柵源電壓，一般大于0.8V。所以，該振蕩器的最低工作電壓將大于1.6V。如果能進一步降低振蕩器的最低工作電壓，顯然是非常有利的。

因此，有必要提供一種改進的技術方案來克服上述問題。

【實用新型內容】

本實用新型的目的在于提供一種低壓振蕩器，其具有較低的最低工作電壓，且電路結構簡單。

為了解決上述問題，本實用新型提供一種低壓振蕩器，其包括:參考電壓產生電路，其包括依次串聯的第一電流源、電阻和第一晶體管，所述第一電流源提供第一電流使得所述第一電流流過所述電阻和第一晶體管，以在第一電流源和電阻之間的節點產生參考電壓；依次串聯的第二電流源、第二晶體管和電容，所述第二晶體管的柵極與第一電流源和電阻之間的節點相連，所述第二晶體管和第二電流源之間的節點輸出控制信號，所述第二電流源提供第二電流使得在第二晶體管導通時所述第二電流經由所述第二晶體管給所述電容充電以得到充電電壓；放電控制電路，其基于所述控制信號對電容進行放電控制。

進一步的，當所述參考電壓和所述充電電壓之間的差值大于所述第二晶體管的閾值電壓時，第二晶體管和第二電流源之間的節點輸出有效的控制信號；當所述參考電壓和所述充電電壓之間的差值小于所述第二晶體管的閾值電壓時，第二晶體管和第二電流源之間的節點輸出無效的控制信號，所述放電控制電路在所述控制信號有效時對所述電容進行放電，在所述控制信號無效時禁止對電容進行放電。

進一步的，所述第一晶體管和所述第二晶體管為NMOS晶體管，所述第一晶體管的漏極接所述電阻，其柵極和漏極相連，其源極接地；所述第二晶體管的源極與所述電容的一端相連，漏極與所述第二電流源相連，電容的另一端接地。

進一步的，所述第一晶體管和所述第二晶體管為PMOS晶體管，所述第一晶體管的漏極接所述電阻，其柵極和漏極相連，其源極接電源；所述第二晶體管的源極與所述電容的一端相連，漏極與所述第二電流源相連，電容的另一端接電源。

進一步的，所述放電控制電路包括第三晶體管或者第三三極管，所述第三晶體管的柵極為所述放電控制電路的控制信號接收端，所述第三晶體管的源極和漏極分別于所述電容的兩端相連。

進一步的，所述第二晶體管的襯底與其源極相連。

進一步的，所述第一晶體管的閾值電壓和第二晶體管的閾值電壓相同，且兩個晶體管的溝道的寬度和長度也相同。

進一步的，所述低壓振蕩器還包括延時電路，所述延時電路位于第二晶體管和第二電流源之間的節點與所述放電控制電路的控制信號接收端之間，所述延時電路將所述控制信號延時輸出給所述放電控制電路。

更進一步的，所述延時電路包括互相串聯的兩個或者兩個以上的反相器，所述反相器的個數為偶數個。

更進一步的，所述第二晶體管和電容之間的節點與所述振蕩器的輸出端相連。