[實用新型]一種碳化硅外延生長反應室的頂蓋有效
| 申請號： | 201320583082.8 | 申請日： | 2013-09-21 |
| 公開（公告）號： | CN203462174U | 公開（公告）日： | 2014-03-05 |
| 發明（設計）人： | 馮淦;趙建輝 | 申請（專利權）人： | 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 黃冠華 |
| 地址： | 361010 福建省廈*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 外延 生長 反應 頂蓋 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅外延生長反應室的頂蓋，包括上頂蓋和下頂蓋，其特征在于：所述上頂蓋中間設有第一通孔，所述下頂蓋中間設有第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔的中心線在同一直線上，所述下頂蓋設有頂起裝置。
2.如權利要求1所述的碳化硅外延生長反應室的頂蓋，其特征在于：所述頂起裝置包括螺栓和螺孔，所述螺孔均勻分布在所述下頂蓋邊緣，所述螺栓與所述螺孔螺紋連接。
3.如權利要求2所述的碳化硅外延生長反應室的頂蓋，其特征在于：所述螺孔的數量為6-12個，相鄰的所述螺孔間距為5-15mm，所述螺孔的直徑為2-10mm。
4.如權利要求2或3所述的碳化硅外延生長反應室的頂蓋，其特征在于：所述螺栓為平頭螺栓。
5.如權利要求4所述的碳化硅外延生長反應室的頂蓋，其特征在于：所述螺栓為石墨螺栓。
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