[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201320582781.0 | 申請日: | 2013-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN203551921U | 公開(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發明(設計)人: | 張元波;秦緯;韓承佑;馬若玉 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟憲功 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示領域,尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。?
背景技術
高級超維場轉換技術(Advanced?Super?Dimension?Switch,ADS),其核心技術特性描述為:通過同一平面內狹縫電極邊緣所產生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產生的電場形成多維電場,使液晶盒內狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉,從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉換技術可以提高薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display,TFT-LCD)產品的畫面品質,具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(Push?Mura)等優點。針對不同應用,ADS技術的改進技術有高透過率I-ADS技術、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術等。?
圖1為現有技術中HADS模式液晶面板陣列基板的結構示意圖,如圖1所示,現有技術中液晶面板的陣列基板包括:襯底1、公共電極401、柵極402、柵極絕緣層403、半導體層404、第一鈍化層405、源極406a、漏極406b、第二鈍化層407、像素電極408,其中,在公共電極所處區域的周邊區域,將作為公共電極的透明導電薄膜通過過孔與陣列基板周邊的公共電極金屬線連接,從而達到為陣列基板傳輸電信號的作用。?
但是現有技術的缺點在于:?
在HADS的模式下,采用透明導電薄膜的公共電極的電阻大約在幾百歐至幾千歐,透明導電薄膜的電阻率高于金屬的電阻率,因?此導致公共電極的電阻較大,進而容易導致陣列基板的串擾和發綠(greenish)等現象,影響顯示裝置的畫面品質。?
實用新型內容
為了解決現有技術中公共電極的電阻大、導致的陣列基板的串擾和greenish等問題,本實用新型提供一種陣列基板及顯示裝置,為減少陣列基板的串擾和greenish等現象,提升顯示裝置的畫面質量提供了可行的技術方案。?
本實用新型提供一種陣列基板,包括:?
一種陣列基板,包括襯底和位于所述襯底上的公共電極層,其特征在于,還包括與所述公共電極層位于不同層的導電層,所述導電層與所述公共電極層并聯連接。?
進一步,所述導電層位于所述襯底的表面,所述公共電極層與所述導電層位于不同層。?
進一步,所述陣列基板還包括:?
位于所述導電層上方的絕緣層;?
位于所述絕緣層上方的柵極;?
位于所述柵極上方的柵絕緣層;?
位于所述柵絕緣層上方的有源層;?
位于所述有源層上方的源極和漏極;?
位于所述源極和漏極上方的第一鈍化層;?
位于所述第一鈍化層上方的像素電極;?
位于所述像素電極上方的第二鈍化層;?
位于所述第二鈍化層上方的公共電極層;?
其中,所述導電層與所述公共電極層通過過孔連接。?
再進一步,所述導電層通過公共電極金屬線與所述公共電極層連接。?
其中,所述導電層在所述襯底上的投影區域與所述柵極在所述?襯底上的投影區域不交疊。?
進一步,所述陣列基板還包括位于襯底表面的柵極,位于柵極表面的柵絕緣層,所述導電層位于所述柵絕緣層表面,所述公共電極層與所述導電層位于不同層。?
其中,所述導電層的材質為金屬或透明導電材料。?
本實用新型還提供一種顯示裝置,包括如上任一項所述的陣列基板。?
本實用新型提供一種陣列基板及顯示裝置,解決了現有技術中公共電極的電阻大、導致的陣列基板的串擾和greenish等問題,不同于現有技術中的陣列基板采用單層透明導電薄膜的公共電極,本實用新型的技術方案增加了一層導電層,使所述公共電極與所述導電層的等效電阻為并聯結構,以減少公共電極的電阻值,進而減少陣列基板的串擾和greenish等現象,提升了顯示裝置的畫面質量。?
附圖說明
圖1為現有技術中陣列基板的結構示意圖;?
圖2為本實用新型實施例所述陣列基板詳細結構示意圖;?
圖3為本實用新型實施例所述陣列基板詳細結構俯視示意圖;?
本實用新型說明書附圖的具體標號如下:?
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