[實(shí)用新型]高功率低插損的表貼微波耦合器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320578692.9 | 申請日： | 2013-09-18 |
| 公開（公告）號： | CN203481356U | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張玉林;施育祺 | 申請（專利權(quán)）人： | 世達(dá)普（蘇州）通信設(shè)備有限公司 |
| 主分類號： | H01P5/16 | 分類號： | H01P5/16 |
| 代理公司： | 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司 32102 | 代理人： | 王玉國;陳忠輝 |
| 地址： | 215021 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 低插損 微波 耦合器 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.高功率低插損的表貼微波耦合器，其特征在于：包含上下依次設(shè)置的上PTFE絕緣板、上微帶線路板、下微帶線路板和下PTFE絕緣板，壓合形成為一體，在上微帶線路板與下微帶線路板上分別設(shè)有等寬等長的并行耦合微帶線，耦合微帶線的長度為信號中心頻率的1/4波長，上下兩耦合微帶線之間設(shè)有絕緣膠層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率低插損的表貼微波耦合器，其特征在于：所述上PTFE絕緣板設(shè)有具有金屬鍍層的通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高功率低插損的表貼微波耦合器，其特征在于：所述上PTFE絕緣板表面設(shè)有鍍錫層。
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