[實用新型]中介體及電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320569645.8
• 申請日: 2013-09-13
• 公開（公告）號: CN203588998U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·M·格利瓦納
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/525
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 李玲

1.一種中介體，其特征在于，所述中介體包括：?

基板，所述基板具有第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；?

互連件，所述互連件延伸穿過所述基板的至少大部分，其中，所述互連件在與所述第一表面相鄰的第一端子端處具有第一通孔并且在與所述第二表面相鄰的第二端子端處具有第二通孔，其中，所述第一端子端橫向偏離所述第二端子端。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述互連件還包括不同片段，其中，每個不同片段與其它不同片段鄰近。?

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的中介體，其特征在于，所述第一通孔只包括一個不同片段并且所述第二通孔包括不同片段的集合。?

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中介體，其特征在于，每個不同片段包括設(shè)置在所述基板內(nèi)的溝槽內(nèi)并且與所述基板分隔開的結(jié)構(gòu)件，其中：?

所述結(jié)構(gòu)件沿著所述溝槽的深度的至少大部分延伸；以及?

在同一高度，所述結(jié)構(gòu)件和所述基板包括基本上相同的組分和晶體取向。?

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的中介體，其特征在于，所述中介體還包括：被構(gòu)造用于將所述第一通孔橫向連接到所述第二通孔的不同片段的另一個集合。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述中介體還包括額外的互連件，其中，所述互連件是交錯的。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的中介體，其特征在于，所述基板包括具有第一厚度的第一區(qū)域和具有第二厚度的第二區(qū)域，所述第二厚度與所述第一厚度不同。?

8.一種電子器件，其特征在于，所述電子器件包括：?

晶粒基板，所述晶粒基板限定第一溝槽和與所述第一溝槽分隔?開的第二溝槽，其中，所述第一溝槽和所述第二溝槽中的每個具有基本上完全延伸穿過所述晶粒基板的深度；?

第一結(jié)構(gòu)件，所述第一結(jié)構(gòu)件設(shè)置在所述第一溝槽內(nèi)并且沿著所述第一溝槽的深度的至少大部分延伸；?

第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一溝槽內(nèi)，其中，所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第一結(jié)構(gòu)件和所述晶粒基板之間；以及?

第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二溝槽內(nèi)并且環(huán)繞所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其中，所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)沿著所述第一溝槽的深度的至少大部分延伸，?

其中，所述電子器件包括n軸向饋通，其中，n是至少2的整數(shù)，并且所述n軸向饋通包括所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)和所述第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。?

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其特征在于，在同一高度，所述第一結(jié)構(gòu)件和所述晶粒基板包括基本上相同的組分和晶體取向。?

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子器件，其特征在于，?

每個特定第一結(jié)構(gòu)件具有向外延伸的空間補償元件；以及?

所述特定第一結(jié)構(gòu)件的向外延伸的空間補償元件的數(shù)量取決于所述特定第一結(jié)構(gòu)件在所述第一溝槽內(nèi)的位置。?