[實用新型]TFT陣列基板、顯示設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320566355.8
• 申請日: 2013-09-12
• 公開（公告）號: CN203481231U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜曉輝;張家祥
• 申請（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/50;G02F1/1368
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板、設(shè)置在基板上的柵極層、設(shè)置在柵極層上的柵絕緣層以及設(shè)置在所述柵絕緣層上的有源層，其中：

所述柵絕緣層位于有源層下方的區(qū)域和所述柵絕緣層的其它區(qū)域是通過兩次沉積形成的。

2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層通過兩次沉積形成包括：

通過一次半色調(diào)或灰階掩模工藝形成柵極層和有源層，其中，有源層區(qū)域下方保留有柵絕緣層材料，有源層區(qū)域上方保留有掩膜圖案；

然后再次沉積柵絕緣層材料，剝離剩余的掩膜圖案。

3.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，還包括：

設(shè)置在有源層及柵絕緣層上的像素電極，以及設(shè)置在柵極層上的柵絕緣層過孔，其中，所述像素電極和所述柵絕緣層過孔通過一次構(gòu)圖形成。

4.一種顯示設(shè)備，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3任一所述的TFT陣列基板。