[實(shí)用新型]陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320563201.3
• 申請(qǐng)日: 2013-09-11
• 公開（公告）號(hào): CN203444219U
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程鴻飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板、顯示裝置。

背景技術(shù)

隨著TFT產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步及工藝的改善，AD-ADS（ADvanced?Super?Dimension?Switch，高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換，簡(jiǎn)稱ADS）廣視角技術(shù)已被應(yīng)用到越來(lái)越多的產(chǎn)品當(dāng)中，包括手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、及液晶電視等，其優(yōu)良的顯示特性已被越來(lái)越多的用戶所推崇，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力很強(qiáng)。

ADS技術(shù)是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD（Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管液晶顯示器）產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無(wú)擠壓水波紋（push?Mura）等優(yōu)點(diǎn)。

由于ADS自身的特點(diǎn)，其Array陣列工藝較傳統(tǒng)的TN（扭曲向列）產(chǎn)品復(fù)雜，構(gòu)圖及Tact?Time（節(jié)拍時(shí)間）均有所增加，因此成本較高。現(xiàn)有ADS產(chǎn)品的陣列基板需要6次或7次構(gòu)圖工藝制作，構(gòu)圖工藝復(fù)雜，制作成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板、顯示裝置，減少制備ADS陣列基板時(shí)構(gòu)圖工藝的次數(shù)，提高生產(chǎn)效率，減少制作成本。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供技術(shù)方案如下：

一方面，提供一種陣列基板，所述陣列基板的公共電極和有源層位于同一層，為通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。

進(jìn)一步地，所述陣列基板的公共電極和有源層為采用透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。

進(jìn)一步地，所述透明金屬氧化物半導(dǎo)體材料為非晶IGZO、HIZO、IZO、InZnO、ZnO、TiO₂、SnO、CdSnO中的一種或多種。

進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

所述襯底基板上的柵電極和柵線；

所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層；

所述柵絕緣層上的公共電極和有源層；

所述公共電極和有源層上的數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極連接；

所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的鈍化層過孔；

所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接。

進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

所述襯底基板上的柵電極和柵線；

所述柵電極和所述柵線上的柵絕緣層；

所述柵絕緣層上的公共電極和有源層；

所述公共電極和有源層上的溝道保護(hù)層；

所述溝道保護(hù)層上的數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極連接；

所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的鈍化層過孔；

所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接。

進(jìn)一步地，所述陣列基板具體包括：

襯底基板；

所述襯底基板上的公共電極和有源層；

所述公共電極和有源層上的柵絕緣層；

所述柵絕緣層上的柵電極和柵線；

所述柵電極和所述柵線上的層間絕緣層，所述層間絕緣層包括有對(duì)應(yīng)所述有源層的源電極過孔和漏電極過孔、對(duì)應(yīng)所述公共電極的公共電極線過孔；所述源電極過孔、漏電極過孔、公共電極線過孔還貫穿柵絕緣層；

所述層間絕緣層上的數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線，所述源電極和漏電極分別通過所述源電極過孔和漏電極過孔與所述有源層連接，所述公共電極線通過所述公共電極線過孔與所述公共電極連接；

所述數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和公共電極線上的鈍化層，所述鈍化層包括有對(duì)應(yīng)所述漏電極的鈍化層過孔；

所述鈍化層上的像素電極，所述像素電極通過所述鈍化層過孔與所述漏電極電連接。

本實(shí)用新型實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。

本實(shí)用新型的實(shí)施例具有以下有益效果：