[實用新型]光耦合器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320560425.9 | 申請日: | 2013-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN203481259U | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 御田村和宏;森林茂;柳沼隆太 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/12 | 分類號: | H01L31/12 |
| 代理公司: | 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 李亞;穆德駿 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 耦合器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及具有發(fā)光元件以及受光元件的光耦合器。
背景技術(shù)
一般的光耦合器成為如下結(jié)構(gòu):兩個引線框相對而隔著間隔配置,在輸入側(cè)的引線框中安裝并接合發(fā)光元件(例如,發(fā)光二極管),在輸出側(cè)的引線框中安裝并接合受光元件(例如,受光IC),發(fā)光元件和受光元件相對而隔著間隔配置(例如,參照專利文獻2的圖5)。在這樣的光耦合器中,由于在輸入輸出之間(發(fā)光元件-受光元件之間)寄生電容(雜散電容)等效地存在,所以若對寄生電容施加因噪聲信號或高速開關(guān)動作而急劇變化的電壓,則存在即使發(fā)光元件不點亮,也從輸入側(cè)(發(fā)光元件以及引線框)對受光元件流過電流(位移電流)從而產(chǎn)生輸出的誤動作的情況。
關(guān)于這樣的誤動作,作為表示誤動作的難易度的指標,有被稱為CMR(Common?Mode?Rejection(共模抑制);瞬間同相消除電壓)的參數(shù)。CMR是指可將光耦合器的輸出狀態(tài)維持準確的狀態(tài)的最大的同相電壓VCM的轉(zhuǎn)換速率,作為每1μs的電壓變化值來表示(參照非專利文獻1)。
在如上所述的一般的光耦合器中,經(jīng)由因噪聲信號或高速開關(guān)動作而電壓急劇變化所引起的輸入輸出之間的寄生電容流過的位移電流id可由[數(shù)學式1]表示。
[數(shù)學式1]
D:電通量密度
t:時間
n:單位法線向量
S:導體面積
ρ:輸入側(cè)的電荷密度
Q:電荷密度ρ的積分值
C:輸入輸出之間的電容
V:輸入輸出之間的電壓
VCM:同相電壓
tr:上升時間
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- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





