[實用新型]OLED陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201320557312.3
• 申請日: 2013-09-09
• 公開（公告）號: CN203445125U
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 程鴻飛;張玉欣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本實用新型屬于顯示技術領域，具體涉及一種OLED陣列基板，以及設有該OLED陣列基板的顯示裝置。

背景技術

有機電致發光顯示（Organic?Electroluminesence?Display，簡稱OELD）又稱為有機發光二極管（Organic?Light-Emitting?Diode，簡稱OLED）顯示裝置，具有能耗低、亮度高、反應時間快、寬視角、重量輕等優點，近來已普遍應用于移動通信終端、個人數字助理（PDA）、掌上電腦等設備中。OLED顯示裝置分為無源矩陣型和有源矩陣型兩種，其中，有源矩陣型OLED顯示裝置利用薄膜晶體管（Thin?Film?Transistor，簡稱TFT）驅動OLED，具有較高發光效率和較好的顯示效果。

本發明人在實現本實用新型的過程中發現，現有技術至少存在以下問題：在有源矩陣型OLED顯示裝置的顯示過程中，OLED發出的光很容易照到TFT上，這會影響TFT內部的光電流，從而導致TFT所驅動的OLED中的電流發生誤差，影響顯示效果。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種OLED陣列基板，以及設有該OLED陣列基板的顯示裝置，解決了現有的有源矩陣型OLED顯示裝置中的TFT容易受到光照，影響顯示效果的技術問題。

為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案：

本實用新型提供一種OLED陣列基板，包括設置于襯底基板上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管上方設置有黑矩陣，所述黑矩陣上開設有過孔；

所述黑矩陣上方從下至上依次設置有第一電極、發光層、第二電極；

所述第一電極通過所述過孔與所述薄膜晶體管相連，相鄰的所述第一電極之間通過擋墻隔開。

在一種實施方式中，所述第一電極與所述薄膜晶體管之間設置有第一保護層，所述黑矩陣與所述第一保護層同層設置。

其中，所述發光層為彩色發光層。

或者，所述發光層為白色發光層，所述第一保護層與所述薄膜晶體管之間還設置有彩膜層；

所述過孔貫穿所述黑矩陣和所述彩膜層。

在另一種實施方式中，所述發光層為白色發光層，所述第一電極與所述薄膜晶體管之間，從下至上依次設置有彩膜層和第一保護層，所述黑矩陣與所述彩膜層同層設置；

所述過孔貫穿所述第一保護層和所述黑矩陣。

進一步，所述彩膜層與所述薄膜晶體管之間還設置有第二保護層；

所述過孔還貫穿所述第二保護層。

在上述實施方式中，所述第一電極為陽極，所述第二電極為陰極；

或者，所述第一電極為陰極，所述第二電極為陽極。

本實用新型還提供一種顯示裝置，包括上述的OLED陣列基板。

與現有技術相比，本實用新型所提供的上述技術方案具有如下優點：在薄膜晶體管的上方設置黑矩陣，并將OLED的第一電極通過黑矩陣上的過孔與薄膜晶體管連接。薄膜晶體管驅動OLED的顯示過程中，黑矩陣能夠遮擋住OLED發出的光，避免薄膜晶體管受到光照，因此薄膜晶體管所驅動的OLED中的電流不會發生誤差，從而保證了有源矩陣型OLED顯示裝置的顯示效果。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。

圖1為本實用新型的實施例1所提供的OLED陣列基板的結構示意圖；

圖2為本實用新型的實施例2所提供的OLED陣列基板的結構示意圖；

圖3為本實用新型的實施例2所提供的OLED陣列基板的另一種結構示意圖；

圖4為本實用新型的實施例3所提供的OLED陣列基板的結構示意圖；

圖5為本實用新型的實施例3所提供的OLED陣列基板的另一種結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整的描述。

本實用新型實施例提供的OLED陣列基板，包括設置于襯底基板上的薄膜晶體管（TFT），TFT上方設置有黑矩陣，黑矩陣上開設有過孔。黑矩陣上方從下至上依次設置有第一電極、發光層、第二電極。第一電極通過過孔與TFT相連，相鄰的第一電極之間通過擋墻隔開。

本實用新型實施例提供的OLED陣列基板的制造方法，包括：

S1：在襯底基板上形成包括TFT的圖形。

S2：在完成前述步驟的基礎上，形成包括黑矩陣的圖形。黑矩陣位于TFT上方，且黑矩陣上開設有過孔。