[實用新型]X射線檢測裝置陣列基板

有效

• 申請號: 201320556216.7
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN203445122U
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 田宗民;張文余;謝振宇
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/146
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種X射線檢測裝置陣列基板，包括薄膜晶體管和與薄膜晶體管相連的光電二極管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵極絕緣層、有源層和源極、漏極,其特征在于，所述有源層之下設置有第一二次電子發射層，所述有源層之上設置有第二二次電子發射層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一二次電子發射層和第二二次電子發射層的材料為金屬氧化物。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物為氧化鎂或氧化鈹。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一二次電子發射層和第二二次電子發射層的厚度為

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的材料為半導體氧化碳納米管材料或半導體氫化石墨烯材料。

6.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述有源層的厚度為

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括襯底基板，所述薄膜晶體管和所述光電二極管設置在所述襯底基板之上，所述襯底基板為柔性材料，所述柔性材料為聚乙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚乙烯醇或聚酰亞胺。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的材料為重金屬或重金屬合金；所述柵極絕緣層的材料為絕緣樹脂材料；所述源極和所述漏極的材料為導體碳納米管材料或導體石墨烯材料。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述光電二極管為PIN型光電二極管，所述PIN型光電二極管包括Ｐ型半導體層、I型半導體層和N型半導體層，所述P型半導體層、I型半導體層和N型半導體層采用半導體碳納米管材料；所述光電二極管還包括鈍化層和偏壓電極，所述鈍化層的材料為絕緣樹脂材料，所述偏壓電極的材料為導體碳納米管材料。

10.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管和所述光電二極管外圍設置有外圍鈍化層，所述外圍鈍化層的材料為絕緣樹脂材料。