[實(shí)用新型]可編程存儲(chǔ)單元

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320555215.0
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN203456098U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 喬納森·斯密特;羅伊·米爾頓·卡爾森;陸勇;歐文·海因斯
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號(hào): G11C17/16
• 分類號(hào): G11C17/16;G11C17/18
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種可編程存儲(chǔ)單元，包括：

基板，包括原生摻雜注入?yún)^(qū)；

厚氧化物隔離件晶體管，設(shè)置在所述原生摻雜注入?yún)^(qū)內(nèi)的所述基板上；

可編程薄氧化物抗熔絲，設(shè)置在與所述厚氧化物隔離件晶體管的第一側(cè)相鄰的所述基板上并位于所述基板的所述原生摻雜注入?yún)^(qū)內(nèi)；以及

第一厚氧化物存取晶體管和第二厚氧化物存取晶體管，設(shè)置在所述基板上，所述第一厚氧化物存取晶體管設(shè)置在所述厚氧化物隔離件晶體管的第二側(cè)與所述第二厚氧化物存取晶體管之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述第一厚氧化物晶體管和所述第二厚氧化物晶體管設(shè)置在所述原生摻雜注入?yún)^(qū)外的所述基板上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述第一厚氧化物晶體管和所述第二厚氧化物晶體管設(shè)置在所述基板的已受過標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓注入處理的區(qū)域上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述基板的除所述原生摻雜注入?yún)^(qū)之外的區(qū)域已受過標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓注入處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述第一厚氧化物存取晶體管的漏極區(qū)用作所述厚氧化物隔離件晶體管的源極區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述第一厚氧化物存取晶體管的源極區(qū)用作所述第二厚氧化物存取晶體管的漏極區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述原生摻雜注入?yún)^(qū)的邊緣形成在所述第一厚氧化物存取晶體管的漏極區(qū)中。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程存儲(chǔ)單元，其特征在于，所述厚氧化物隔離件晶體管的柵極和所述抗熔絲并聯(lián)耦接至第一輸入端。

9.一種可編程存儲(chǔ)單元，包括：

可編程薄氧化物抗熔絲，具有第一端和第二端；

厚氧化物隔離件晶體管，連接至所述可編程薄氧化物抗熔絲的所述第一端和所述第二端；

第一厚氧化物存取晶體管，經(jīng)由第一擴(kuò)散區(qū)連接至所述厚氧化物隔離件晶體管；以及

第二厚氧化物存取晶體管，經(jīng)由第二擴(kuò)散區(qū)連接至所述第一厚氧化物存取晶體管，

其中，所述可編程薄氧化物抗熔絲和所述厚氧化物隔離件晶體管具有與所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管不同的摻雜濃度。

10.一種可編程存儲(chǔ)單元，包括：

可編程薄氧化物抗熔絲，連接至厚氧化物隔離件晶體管，所述可編程薄氧化物抗熔絲包括具有第一厚度的第一氧化層；

第一厚氧化物存取晶體管，連接至所述厚氧化物隔離件晶體管；以及

第二厚氧化物存取晶體管，連接至所述第一厚氧化物存取晶體管，

其中，所述厚氧化物隔離件晶體管、所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管各自包括具有大于所述第一厚度的第二厚度的第二氧化層，

其中，所述可編程薄氧化物抗熔絲和所述厚氧化物隔離件晶體管被原生摻雜，并且所述第一厚氧化物存取晶體管和所述第二厚氧化物存取晶體管被摻雜從而具有標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓特性。