[實(shí)用新型]一種超結(jié)MOSFET器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320553995.5
• 申請(qǐng)日: 2013-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN203456470U
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱袁正;李宗清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫新潔能股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 無錫華源專利事務(wù)所(普通合伙) 32228
• 代理人: 林弘毅;聶漢欽

1.一種超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：在所述超結(jié)MOSFET器件的截面上，半導(dǎo)體基板具有相對(duì)應(yīng)的第一主面與第二主面，所述半導(dǎo)體基板由相鄰第一主面的第一導(dǎo)電類型漂移層和相鄰第二主面的第二導(dǎo)電類型襯底組成；第一導(dǎo)電類型漂移層內(nèi)包括多對(duì)具有第一導(dǎo)電類型的第一柱和具有第二導(dǎo)電類型的第二柱；所述第一柱與第二柱沿著電流流通方向在半導(dǎo)體基板的第一導(dǎo)電類型漂移層內(nèi)延伸；在垂直電流流通的方向上，由所述第一柱和第二柱構(gòu)成的多對(duì)PN柱交替設(shè)置，在半導(dǎo)體基板內(nèi)形成超結(jié)結(jié)構(gòu)；

所述第一導(dǎo)電類型漂移層內(nèi)設(shè)置有第二導(dǎo)電類型體區(qū)，所述第二導(dǎo)電類型體區(qū)與第二柱相連接，相鄰的第二導(dǎo)電類型體區(qū)間通過第一導(dǎo)電類型漂移層隔離；第二導(dǎo)電類型體區(qū)內(nèi)設(shè)置有第一導(dǎo)電類型源區(qū)；相鄰第二導(dǎo)電類型體區(qū)之間的第一導(dǎo)電類型漂移層正上方設(shè)置有柵氧化層，所述柵氧化層與相應(yīng)的第二導(dǎo)電類型體區(qū)及第一導(dǎo)電類型源區(qū)部分交疊；在柵氧化層上覆蓋有導(dǎo)電多晶硅，所述導(dǎo)電多晶硅上設(shè)置有絕緣介質(zhì)層，所述絕緣介質(zhì)層覆蓋于相應(yīng)的導(dǎo)電多晶硅上并與相應(yīng)的柵氧化層一起包覆導(dǎo)電多晶硅；相鄰的絕緣介質(zhì)層間設(shè)有源極引線孔，所述源極引線孔內(nèi)填充有源極金屬，所述源極金屬與導(dǎo)電多晶硅間通過絕緣介質(zhì)層隔離；

所述第一導(dǎo)電類型漂移層內(nèi)設(shè)置有緊鄰第二導(dǎo)電類型體區(qū)的第一導(dǎo)電類型的第一緩沖層及緊鄰第二柱的第一導(dǎo)電類型的第二緩沖層；第二導(dǎo)電類型體區(qū)與第一導(dǎo)電類型漂移層被所述第一導(dǎo)電類型的第一緩沖層隔離，第二柱與第一柱被所述第一導(dǎo)電類型的第二緩沖層隔離；第一導(dǎo)電類型的第一緩沖層和第一導(dǎo)電類型的第二緩沖層的雜質(zhì)濃度大于第一導(dǎo)電類型漂移層及第一柱的雜質(zhì)濃度；

對(duì)于N型超結(jié)MOSFET器件，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型；對(duì)于P型超結(jié)MOSFET器件，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：在所述超結(jié)MOSFET器件的截面上，相鄰的第一導(dǎo)電類型的第一緩沖層相連接，或者被第一導(dǎo)電類型漂移層隔離。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述超結(jié)MOSFET器件，其特征在于：所述超結(jié)MOSFET器件包括平面柵型MOSFET結(jié)構(gòu)或者溝槽柵型MOSFET結(jié)構(gòu)。