[實用新型]一種C/S雙波段功放

有效

• 申請號: 201320550876.4
• 申請日: 2013-09-06
• 公開（公告）號: CN203491977U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 曹學坡
• 申請（專利權）人: 安徽天兵電子科技有限公司
• 主分類號: H03F1/30
• 分類號: H03F1/30;H03F1/52
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 沈志海

技術領域

本實用新型涉及電子通信領域，具體涉及一種C/S雙波段功放。

背景技術

隨著社會生產的發展，電工電子的快速發展，大量的電子科技產品被生產、使用，隨著電子行業的廣泛發展，C/S雙波段功放的生產和應用是不可忽視的，申請號為CN201120412812.9公開了一種S波段倍頻程寬帶功率放大器裝置，它涉及通信領域中信道部分的功率放大器裝置,它由射頻放大電路、外圍電路等部件共同組成，本實用新型采用了功率平衡分路、功率平衡合成技術，完成了功率分路與合成，具有射頻開關功能，提供功率正向輸出電平取樣放大及反射功率保護功能，該功率放大器裝置采用全固態化設計，提高了功放的壽命，減少維修的時間，特別適合用于S波段的通信系統中的功率放大器，但是該功放不具有頻段切換功能，不能實現C頻段和S頻段的相互切換，頻帶寬帶窄、效率低、體積大、功率小，并且耐溫性能差等缺點。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種C/S雙波段功放，以解決現有技術中導致的上述多項缺陷。

本實用新型所解決的技術問題可以采用以下技術方案來實現：一種C/S雙波段功放，包括殼體，所述殼體側面設有輸入端口和輸出端口，所述殼體上設有撥桿，所述殼體內部設有腔體，所述腔體內設有前級放大電路板、激勵放大器電路板和末級功率放大電路板，所述撥桿通過開關控制電路板與前級放大電路板連接，所述殼體為GaN材質，所述撥桿包括C撥桿、S撥桿和電源撥桿，所述腔體包括C腔體和S腔體，所述輸入端口與末級功率放大電路板之間設有環形導波電路板，所述開關控制電路板與環形導波電路板之間設有膜片式耦合結構。

優選的，所述殼體上表面設有屏蔽層。

優選的，所述屏蔽層厚度為2—3mm。

優選的，所述C腔體內設有C射頻功率放大器。

優選的，所述S腔體內設有S射頻功率放大器。

優選的，所述輸出端口為微帶線與并聯電容的結構。

本實用新型的優點在于：GaN材質耐溫性能好，提高了功放的耐高溫特性，設置的環形導波電路可將小功率信號回流，重新放大，提高了功放的寬帶和效率，同時增大了功放的功率，膜片式耦合結構的應用減小了功放的體積，達到了功放小體積便于使用的效果，屏蔽層的設置使功放不受外來的信號干擾，提高了工作效率，屏蔽層厚度為2—3mm，該厚度范圍內能有更好屏蔽效果，C腔體和S腔體內分別設有C射頻功率放大器和S射頻功率放大器，可以獲得足夠大的射頻輸出功率，并保證波段在4到8GHz以及波段在2到4GHz，輸出端口為微帶線與并聯電容的結構，該結構不僅減小了放大器的尺寸，還增加了功放帶寬。?

附圖說明

圖1是本實用新型所述的一種C/S雙波段功放的結構示意圖。

圖2是本實用新型所述的一種C/S雙波段功放的內部電路板圖。

圖3是本實用新型所述的一種C/S雙波段功放的后視圖。

其中：1—殼體，2—輸入端口，3—輸出端口，4—撥桿，5—腔體，6—前級放大電路板，7—激勵放大電路板，8—末級功率放大電路板，9—開關控制電路板，10—C撥桿，11—S撥桿，12—電源撥桿，13—C腔體，14—S腔體，15—環形導波電路板，16—膜片式耦合結構，17—屏蔽層，18—凹槽，19—C射頻功率放大器，20—S射頻功率放大器。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。

如圖1和圖3所示，本實用新型所述的一種C/S雙波段功放，一種C/S雙波段功放，包括殼體1，所述殼體1側面設有輸入端口2和輸出端口3，所述殼體1上設有撥桿4，所述殼體1內部設有腔體5，所述腔體5內設有前級放大電路板6、激勵放大器電路板7和末級功率放大電路板8，所述撥桿4通過開關控制電路板9與前級放大電路板6連接，所述殼體1為GaN材質，所述撥桿4包括C撥桿10、S撥桿11和電源撥桿12，又如圖2所示，所述腔體5包括C腔體13和S腔體14，所述輸入端口2與末級功率放大電路板8之間設有環形導波電路板15，所述開關控制電路板9與環形導波電路板15之間設有膜片式耦合結構16，GaN材質耐溫性能好，提高了功放的耐高溫特性，設置的環形導波電路可將小功率信號回流，重新放大，提高了功放的寬帶和效率，同時增大了功放的功率，膜片式耦合結構的應用減小了功放的體積，達到了功放小體積便于使用的效果。