[實用新型]超細線徑金屬絲網網版有效
| 申請號: | 201320549812.2 | 申請日: | 2013-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN203557801U | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 徐國良;姜昊;趙昌祥 | 申請(專利權)人: | 常州三立精圖光電有限公司 |
| 主分類號: | B41F15/36 | 分類號: | B41F15/36 |
| 代理公司: | 常州市夏成專利事務所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈毅 |
| 地址: | 213000 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 細線 金屬絲網 | ||
技術領域
本實用新型涉及導電細線制造用網版技術領域,尤其是一種超細線徑金屬絲網網版。
背景技術
印刷導電銀線在微電子領域有廣泛應用,比如晶硅太陽能電池,導電銀線印刷在電池片表面上,用來收集電流。在觸控屏表面,導電銀線把面板表面觸摸電信號傳輸到處理器內部進行處理。
在太陽能電池制造中,通常導電銀線用絲網印刷來形成。將預先配置好的銀漿放置在網版上,利用刮刀提供壓力,把銀漿壓過網版圖形開口,印到放置在底部的硅片上。透過的銀漿反映網版上的圖形,在硅片上形成收集電流的導電電路。在觸控板制造中,同樣的印刷原理用于在基板上形成觸控屏電路。網版上的圖形是通過曝光顯影的方式實現的。
太陽能電池片上正面的銀線條由兩部分組成:主柵線和副柵線,副柵線有幾十根到一百根約幾十微米寬線條組成,用于收集硅片表面的光生電流;主柵線有兩根到五根0.8~2?毫米左右寬的線條組成,用于匯集副柵線上的電流并導入到被使用的電路上。但是,銀線條的存在,減少了硅片受光的有效面積,所以,線條越細越好。
目前行業內絲網印刷網版的圖形開口寬度設計值在50~60um,印刷后銀導線寬度在80~90um;當進一步降低網版圖形開口寬度,如40~50um線寬,常規金屬絲網的大線徑(線徑>=16um),大網結的負面效應開始凸顯,網版的過墨性惡化,導電銀線開始出現斷點,平整度差等問題,嚴重影響導電銀線的導電性能。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是:使用常規金屬絲網制版,網版的圖形開口寬度極限值為50~60um,印刷后銀導線寬度達到80um~90um;當進一步降低網版圖形開口寬度時,如40~50um,常規絲網的大線徑(線徑>=16um),大網結的負面效應開始凸顯,網版的過墨性惡化,導電銀線開始出現斷點,平整度差等問題,嚴重影響導電銀線的導電性能。針對這種問題,本實用新型提供了一種超細線徑金屬絲網網版。
本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種超細線徑金屬絲網網版,包括絲網、尼龍網和網框,網框與尼龍網之間,尼龍網與絲網之間均通過膠水黏附,所述的絲網由超細線徑、超高目數的金屬絲網組成,所述線徑尺寸≤14um,目數≥380目。
根據本實用新型的另一個實施例,進一步包括所述網框的形狀為方形。
根據本實用新型的另一個實施例,進一步包括所述網框為鋁框或鑄鐵框。
本實用新型的有益效果是,使用超細線徑金屬絲網網版,網版圖形開口寬度<50um,印刷后導電銀線的寬度<70um,同時導電銀線無斷點,有良好的表面平整度;將本實用新型用于晶硅太陽能電池正面導電銀線印刷,太陽能電池光電轉換效率可以提高0.2%~0.3%,同時單片銀漿耗量降低10%。
附圖說明
下面結合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。
圖1是本實用新型的結構示意圖;
圖中1、網框,2、尼龍網,3、金屬絲網,4、網版圖形。
具體實施方式
如圖1是本實用新型的結構示意圖,一種超細線徑金屬絲網網版,包括網框1、尼龍網2和金屬絲網3,網框1與尼龍網2之間,尼龍網2與金屬絲網3之間均通過膠水黏附,所述的金屬絲網3由超細線徑、超高目數的金屬絲網組成,所述線徑尺寸≤14um,目數≥380目。所述網框1的形狀為方形。所述網框1為鋁框或鑄鐵框。
本實用新型可根據需要的印刷形貌,來選擇合適的網布規格和線寬膜厚規格。本實用新型優選實施例一,目數380,線徑14um,紗厚14um~35um。本實用新型優選實施例二,目數430,線徑13um,紗厚13um~30um。本實用新型金屬絲網具有超細線徑優勢,在進一步降低網版圖形開口寬度時,可有效解決絲網網結造成的斷點問題。本實用新型采用超細線徑金屬絲網替代常規金屬絲網組成網版。網版通過曝光顯影的方式,可顯現網版圖形4。得到的網版圖形開口寬度<50um,印刷后導電銀線的寬度<70um,同時導電銀線無斷點,有良好的表面平整度。
將本實用新型用于晶硅太陽能電池正面導電銀線印刷,太陽能電池光電轉換效率可以提高0.2%~0.3%,同時單片銀漿耗量降低10%。
以上通過對所列實施方式的介紹,闡述了本實用新型的基本構思和基本原理。但本實用新型絕不限于上述所列實施方式,凡是基于本實用新型的技術方案所作的等同變化、改進及故意變劣等行為,均應屬于本實用新型的保護范圍。
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