[實用新型]LED外延片

有效

• 申請號: 201320549195.6
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN203398150U
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 劉樹高;安建春
• 申請（專利權）人: 山東開元電子有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/02
• 代理公司: 濰坊鳶都專利事務所 37215
• 代理人: 王慶德

1.一種LED外延片，包括依次疊加的襯底（1）、GaN緩沖層（2）、第一N-GaN接觸層（31）、第一多量子阱發光層（41）、P-GaN接觸層（5）、N型電極和P型電極（7），其特征是所述P-GaN接觸層（5）另一面依次設有第二多量子阱發光層（42）和第二N-GaN接觸層（32）；第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）上均與N型電極連接。

2.按照權利要求1所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）厚度為350-1000nm。

3.按照權利要求2所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）厚度為400-650nm。

4.按照權利要求2或3所述的LED外延片，其特征是所述P-GaN接觸層（5）兩側的多量子阱發光層均為InGaN/GaN?藍光多量子層，第一和第二多量子阱發光層的厚度均為9-15nm；第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）厚度均為100-1000nm。

5.按照權利要求1所述的LED外延片，其特征是N型電極和P型電極（7）分別設有內延的N型電極支路（63）和P型電極支路（71），且N型電極支路（63）和P型電極支路（71）叉形設置；N型電極支路（63）的底面和頂面分別與第一N-GaN接觸層（31）和第二N-GaN接觸層（32）電連接，P型電極支路（71）底面與P-GaN接觸層（5）電連接。