[實用新型]一種無間隙雷電沖擊電流發生器

有效

• 申請號: 201320549127.X
• 申請日: 2013-09-05
• 公開（公告）號: CN203433011U
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 李建明;郭蓉萍;陳少卿;張榆;文麗
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網四川省電力公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R1/28
• 分類號: G01R1/28
• 代理公司: 成都信博專利代理有限責任公司 51200
• 代理人: 卓仲陽

1.一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：包括主邊和充電電源相連的供電變壓器T，供電變壓器T的副邊一端接地，另一端連接絕緣柵雙極型晶體管VT0的集電極，絕緣柵雙極型晶體管VT0的發射極連接依次串接整流器DZ和充電電阻R，再連接至絕緣柵雙極型晶體管VT的集電極，絕緣柵雙極型晶體管VT的集電極連接至充電電容C的正極，充電電容C的負極接地，所述絕緣柵雙極型晶體管VT的發射極連接至高壓試品ZX的一端，高壓試品ZX的另一端接地，其中所述絕緣柵雙極型晶體管VT0的柵極G0和絕緣柵雙極型晶體管VT的柵極G均連接至驅動電路。

2.根據權利要求1所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述充電電阻R、絕緣柵雙極型晶體管VT和充電電容C相互連接構成充放電發生組，本無間隙雷電沖擊電流發生器包括至少兩組充放電發生組，每組充放電發生組中的充電電阻R（1……n）均連接至整流器D，絕緣柵雙極型晶體管VT（1……n）的發射極均連接至高壓試品ZX的一端，絕緣柵雙極型晶體管VT（1……n）的柵極G（1……n）均連接至驅動電路，充電電容C（1……n）的負極均接地。

3.根據權利要求1或2所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述驅動電路由單片機連接光電耦合回路構成，所述絕緣柵雙極型晶體管VT的柵極和發射極之間設有柵極均壓回路，所述絕緣柵雙極型晶體管VT的集電極和發射極之間設有靜態均壓回路和動態均壓回路。

4.根據權利要求3所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述柵極均壓回路由相互串接齊納二極管DQ和方向二級管DF構成，其中齊納二極管DQ的負極連接至絕緣柵雙極型晶體管VT的發射極，方向二級管DF的負極連接至絕緣柵雙極型晶體管VT的柵極。

5.根據權利要求3所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述靜態均壓回路由連接在絕緣柵雙極型晶體管VT的集電極和發射極之間的電阻RT構成；所述動態均壓回路由電阻RS和二極管DS并聯和串接電容CS構成，其中二極管DS的正極連接至絕緣柵雙極型晶體管VT的集電極，所述電容CS的一端連接至絕緣柵雙極型晶體管VT的發射極。

6.一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：包括主邊和充電電源相連的供電變壓器T，供電變壓器T的副邊一端接地和可控硅D0的輸入端、可控硅D0的輸出端依次串接整流器DZ和充電電阻R，再連接至可控硅D的正極，可控硅D的正極還連接至充電電容C的正極，充電電容C的負極接地，所述可控硅D的負極連接至高壓試品ZX的一端，高壓試品ZX的另一端接地，其中所述可控硅D0的柵極G0和可控硅D的柵極G均連接至驅動電路。

7.根據權利要求6所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述充電電阻R、可控硅D和充電電容C相互連接構成充放電發生組，本無間隙雷電沖擊電流發生器包括至少兩組充放電發生組，每組充放電發生組中的充電電阻R（1……n）均連接至整流器D，可控硅D（1……n）的負極均連接至高壓試品ZX的一端，可控硅D（1……n）的柵極G（1……n）均連接至驅動電路，充電電容C（1……n）的負極均接地。

8.根據權利要求6或7所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述驅動電路由單片機連接光電耦合回路構成，所述可控硅D的柵極和負極之間設有柵極均壓回路，所述可控硅D的正極和負極之間設有靜態均壓回路和動態均壓回路。

9.根據權利要求8所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述柵極均壓回路由相互串接齊納二極管DQ和方向二級管DF構成，其中齊納二極管DQ的負極連接至可控硅D的負極，方向二級管DF的負極連接至可控硅D的柵極。

10.根據權利要求8所述的一種無間隙雷電沖擊電流發生器，其特征在于：所述靜態均壓回路由連接在可控硅D的正極和負極之間的電阻RT構成；所述動態均壓回路由電阻RS和二極管DS并聯和串接電容CS構成，其中二極管DS的正極連接至可控硅D的負極，所述電容CS的一端連接至可控硅D的正極。