[實用新型]一種功率放大裝置

有效

• 申請號: 201320543585.2
• 申請日: 2013-09-02
• 公開（公告）號: CN203406835U
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 任志雄;劉覽琦;石琴琴
• 申請（專利權）人: 武漢芯泰科技有限公司
• 主分類號: H03F3/20
• 分類號: H03F3/20;H03F3/189
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種功率放大裝置，其特征在于，包括傳輸線變壓器和N個子功率放大器；所述傳輸線變壓器包括N個并聯的主線圈和N個串聯的次線圈，N個主線圈分別與N個子功率放大器的差分輸出端連接，次線圈的輸出端用于連接負載阻抗；N為大于等于2的正整數。

2.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，所述子功率放大器包括第一隔直濾波電容、第二隔直濾波電容、第一偏置電阻、第二偏置電阻、第一MOS管、第二MOS管和共柵級放大電路；

第一隔直濾波電容的一端作為子功率放大器的差分信號輸入正端，第一隔直濾波電容的另一端連接至第一MOS管的柵極；

第二隔直濾波電容的一端作為子功率放大器的差分信號輸入負端，第二隔直濾波電容的另一端連接至第二MOS管的柵極；

第一偏置電阻的一端作為共源MOS管的第一偏置輸入端，第一偏置電阻的另一端連接至所述第一MOS管的柵極；

第二偏置電阻的一端與所述第一偏置電阻的一端連接，第二偏置電阻的另一端連接至所述第二MOS管的柵極；

所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的源極連接后再接地；

所述共柵級放大電路的輸入端與所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極連接，所述共柵級放大電路的輸出端作為所述子功率放大器的所述差分輸出端，所述共柵級放大電路的控制端作為共柵MOS管的第二偏置輸入端。

3.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，所述子功率放大器包括第一隔直濾波電容、第二隔直濾波電容、第一偏置電阻、第二偏置電阻、第一MOS管、第二MOS管和多個并聯連接的共柵級放大電路；

第一隔直濾波電容的一端作為子功率放大器的差分信號輸入正端，第一隔直濾波電容的另一端連接至第一MOS管的柵極；

第二隔直濾波電容的一端作為子功率放大器的差分信號輸入負端，第二隔直濾波電容的另一端連接至第二MOS管的柵極；

第一偏置電阻的一端作為共源MOS管的第一偏置輸入端，第一偏置電阻的另一端連接至所述第一MOS管的柵極；

第二偏置電阻的一端與所述第一偏置電阻的一端連接，第二偏置電阻的另一端連接至所述第二MOS管的柵極；

所述第一MOS管的源極與所述第二MOS管的源極連接后再接地；

所述共柵級放大電路的輸入端與所述第一MOS管的漏極和第二MOS管的漏極連接，所述共柵級放大電路的輸出端作為子功率放大器的所述差分輸出端，所述共柵級放大電路的控制端作為共柵MOS管的第二偏置輸入端。

4.如權利要求2或3所述的功率放大裝置，其特征在于，所述共柵級放大電路包括第三MOS管、第四MOS管和第三偏置電阻；

所述第三MOS管的源極與所述第一MOS管的漏極連接，所述第四MOS管的源極與所述第二MOS管的漏極連接；所述第三MOS管的柵極與所述第四MOS管的柵極連接；所述第三MOS管的漏極和所述第四MOS管的漏極作為共柵級放大電路的輸出端；

所述第三偏置電阻的一端與所述第三MOS管的柵極連接，所述第三偏置電阻的另一端作為共柵MOS管的第二偏置輸入端，控制第三MOS管、第四MOS管的導通關閉。

5.如權利要求4所述的功率放大裝置，其特征在于，所述子功率放大器還包括連接在所述第三MOS管的漏極與第四MOS管的漏極之間的可變電容。

6.如權利要求1所述的功率放大裝置，其特征在于，所述主線圈的兩端作為信號輸入端，用于連接所述子功率放大器的差分輸出端；所述主線圈的中點作為電源輸入端，用于連接電源。

7.如權利要求1-6任一項所述的功率放大裝置，其特征在于，所述主線圈或所述次線圈均為N分之一圓弧形線圈。

8.如權利要求7所述的功率放大裝置，其特征在于，N為2時，所述主線圈或所述次線圈均為半圓弧形線圈。

9.如權利要求7所述的功率放大裝置，其特征在于，N為3時，所述主線圈或所述次線圈均為三分之一圓弧形線圈。

10.如權利要求7所述的功率放大裝置，其特征在于，N為4時，所述主線圈或所述次線圈均為四分之一圓弧形線圈。