[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201320537861.4
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN203480182U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 孫建;李成;安星俊;柳奉烈
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: G02F1/1368
• 分類號: G02F1/1368;G02F1/1333
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。?

背景技術

由于非晶硅存在因本身自有的缺陷而導致的開態電流低、遷移率低、穩定性差等問題，使它在很多領域受到了限制，為了彌補非晶硅本身缺陷，擴大在相關領域的應用，低溫多晶硅(Low?Temperature?Poly-Silicon，LTPS)技術應運而生。?

隨著薄膜晶體管液晶顯示技術（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）技術的發展，基于低溫多晶硅的顯示技術逐漸成為主流。如圖1所示，現有技術中的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板包括：襯底基板101、緩沖層102、有源區103、柵電極106、源電極105、漏電極104、數據線107、透明公共電極108、像素電極109、柵絕緣層111、中間介電層112、平坦層113和鈍化層114。?

隨著像素技術開發的需求，如何增大存儲電容成為一個重要的關注點，現有技術中為達到增大存儲電容的目的，如圖2所示，在陣列基板中設置有公共電極線201，所述公共電極線201與柵電極106同層設置，并與位于其上方的像素電極109共同形成存儲電容。?

圖2中所示的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板的制作流程具體包括：?

第一步，參見圖3，在襯底基板101上形成緩沖層102。?

第二步，參見圖3，在完成緩沖層102制作的襯底基板上，通過構圖工藝，形成有源區103。?

第三步，參見圖4，在完成有源區103制作的襯底基板上，沉積氧化硅或氮?化硅層，形成柵絕緣層111。?

第四步，參見圖4，在完成柵絕緣層111制作的襯底基板上，利用構圖工藝，制作柵電極106和公共電極線201。?

第五步，參見圖4，采用離子注射方式將高濃度的n型雜質離子摻雜到有源層103的兩側，在有源層103的相對兩側分別形成源電極105、漏電極104。?

第六步，參見圖5，在完成第五步的襯底基板上，沉積氧化硅或氮化硅層，形成中間介電層112；并通過構圖工藝，形成貫穿所述柵絕緣層111和中間介電層112的過孔V1。?

第七步，參見圖6，在完成中間介電層112制作的襯底基板上形成數據線107，且所述源電極105通過所述過孔V1與數據線107電連接。?

第八步，參見圖7，在完成數據線107、源電極105和漏電極104制作的襯底基板上，形成平坦層113，并通過構圖工藝，形成貫穿該絕緣層113的過孔V2。?

第九步，參見圖8，在完成平坦層113制作的襯底基板上，使用磁控濺射法在平坦層113上沉積一層透明導電薄膜，然后利用構圖工藝，形成透明公共電極108。?

第十步，參見圖9，在完成透明公共電極108制作的襯底基板上，形成鈍化層114，并通過構圖工藝，形成貫穿該鈍化層114的過孔V3。?

第十一步，參見圖10，在完成絕緣層114制作的襯底基板上，使用磁控濺射法在絕緣層113上沉積一層氧化銦錫ITO透明導電薄膜，然后利用構圖工藝，形成像素電極109，使得所述像素電極109通過過孔V1、過孔V2和過孔V3與漏電極104電連接。?

通過上述對現有技術中的低溫多晶硅薄膜晶體管陣列基板制作方法的具體論述可知，在該陣列基板中，雖然所述公共電極線201與柵電極106是經過一次曝光工藝形成，但制作過程中至少需要通過八次曝光刻蝕等構圖工藝，該陣列基板的制作過程中仍存在制造工藝流程復雜，制造流程繁多，成本高，耗時長等問題。?

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以解決現有技術中工藝復雜、成本高、耗時長的問題，同時達到增大存儲電容的目的。?