[實用新型]一種采用植球優化技術的框架csp封裝件

有效

• 申請號: 201320537057.6
• 申請日: 2013-08-31
• 公開（公告）號: CN203481221U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 郭小偉;劉建軍;謝建友;李萬霞;李站;崔夢
• 申請（專利權）人: 華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型專利涉及一種基于框架csp的封裝領域，更進一步說是一種采用植球優化技術的框架csp封裝件，屬于集成電路封裝技術領域。

背景技術

CSP(Chip?Scale?Package)封裝，是芯片級封裝的意思。CSP封裝是最新一代的內存芯片封裝技術，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲容量提高三倍。CSP封裝內存不但體積小，同時也更薄，大大提高了內存芯片在長時間運行后的可靠性，而且線路阻抗顯著減小，芯片運行速度也隨之得到大幅度提高。CSP封裝內存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號的傳導距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時間比有極大提高。還具有多輸入／輸出端數、電性能好和熱性能好等特點。

現有csp框架產品開發均要先設計框架再開發框架，設計周期以及開發周期都比較長，使得生產成本高和生產效率較低。

實用新型內容

針對上述常規框架的缺陷，本實用新型的目的是提供一種采用植球優化技術的框架csp封裝件，使IC芯片在封裝過程中不再受框架設計的限制，可以直接和框架連接,省去設計框架的步驟。由于芯片不再需要制作特殊的圖形，節約了生產成本，提高產品的生產能力。

一種采用植球優化技術的框架csp封裝件，主要由引線框架、鍍銀層、植球、芯片、鍵合線和塑封體組成。所述引線框架與芯片通過鍍銀層相連，鍵合線從芯片連接到引線框架上，鍍銀層上有植球，塑封體包圍了引線框架、鍍銀層、植球、芯片和鍵合線，芯片、鍵合線、植球和引線框架構成了電路的電源和信號通道。所述引線框架上有鍍銀層，鍍銀層上有植球和芯片，植球在芯片的兩端，鍍銀層、植球和芯片都在引線框架的一側。

植球為金、銅或者合金球。

鍵合線為金線、銅線或合金線。

一種采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下：晶圓減薄→劃片→框架鍍銀層→鍍銀層上植球→上芯→壓焊→塑封→蝕刻引線框架→成品。

附圖說明

圖1為引線框架剖面圖；

圖2?為引線框架鍍銀后剖面圖；

圖3為引線框架植球剖面圖；

圖4為上芯后產品剖面圖；

圖5為壓焊后產品剖面圖；

圖6為塑封后產品剖面圖；

圖7為蝕刻引線框架后產品剖面圖；

圖8為成品剖面圖。

圖中，1為引線框架，2為鍍銀層，3為植球，4為芯片，5為鍵合線，6為塑封體。

具體實施方式

如圖所示，一種采用植球優化技術的框架csp封裝件，主要由引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4、鍵合線5和塑封體6組成。所述引線框架1與芯片4通過鍍銀層2相連，鍵合線5從芯片4連接到引線框架1上，鍍銀層2上有植球3，塑封體6包圍了引線框架1、鍍銀層2、植球3、芯片4和鍵合線5，芯片4、鍵合線5、植球3和引線框架1構成了電路的電源和信號通道。所述引線框架1上有鍍銀層2，鍍銀層2上有植球3和芯片4，植球3在芯片4的兩端，鍍銀層2、植球3和芯片4都在引線框架1的一側。

植球3為金、銅或者合金球。

鍵合線5為金線、銅線或合金線。

一種采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，主要流程如下：晶圓減薄→劃片→框架鍍銀層→鍍銀層上植球→上芯→壓焊→塑封→蝕刻引線框架→成品。

????如圖所示，一種采用植球優化技術的框架csp封裝件的制作工藝，其按照如下具體步驟進行：

（一）晶圓減薄：減薄厚度50μm～200μm，粗糙度Ra?0.10mm～0.05mm；

（二）劃片：150μm以上晶圓同普通QFN劃片工藝，但厚度在150μm以下晶圓，使用雙刀劃片機及其工藝；

（三）框架鍍銀層，鍍銀層上植球：鍍銀層2及植球同常規csp工藝，不同的是，鍍銀層2和植球3都在引線框架1的同一側；

（四）上芯、壓焊、塑封：上芯、壓焊、塑封同常csp工藝，不同的是，芯片4和鍍銀層2、植球3都在引線框架1的同一側；

（五）蝕刻引線框架：在產品完成塑封后，使用蝕刻液將引線框架1全部蝕刻后，鍍銀層2會全部露出，即可做接觸點直接形成連通。

本實用新型可用于單芯片封裝也可用于多芯片堆疊式封裝。

本實用新型采用一種新型植球工藝所得，該工藝通過植球，即可實現在框架上直接進行芯片的焊接，省去設計框架的繁瑣步驟以及較高的生產成本，此法靈活性高，進一步提高產品生產總值，顯著提高產品可靠性，并實現降低產品生產成本。