[實用新型]一種用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320535991.4 | 申請日： | 2013-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN203474956U | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張學強;黃永恩;范全東 | 申請（專利權(quán)）人： | 寧晉賽美港龍電子材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/04 | 分類號： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 石家莊冀科專利商標事務所有限公司 13108 | 代理人： | 李羨民;周曉萍 |
| 地址： | 055550 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 用于 單晶爐重摻砷 雜質(zhì) 揮發(fā) 裝置 | ||
1.一種用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，它包括第一高壓桶（4）和位于第一高壓桶內(nèi)的載料舟（6），所述第一高壓桶外廓為圓柱形，其內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu)，第一高壓桶的頂部封閉、底部為通透的環(huán)形平面，在第一高壓桶底部均勻分布氣體通道（9）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，所述第一高壓桶下部外側(cè)套裝第二高壓桶（7），在第二高壓桶外側(cè)套裝第三高壓桶（8），第二、第三高壓桶均為圓柱形，第二、第三高壓桶的頂部封閉，底部為通透的、與第一高壓桶位于同一平面的環(huán)形平面，在第二、第三高壓桶底部分別均勻分布氣體通道（9）。?
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，設(shè)置在各高壓桶上的氣體通道（9）分別為4-8個，位于不同高壓桶上的氣體通道不在同一直徑上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，所述各氣體通道（9）的高度為8-12毫米，氣體通道的寬度為4-8毫米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，所述第一高壓桶（4）頂部設(shè)有梯形桶系，桶系（3）的中部設(shè)有連接孔（2），連接孔與鋼絲繩（1）連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于單晶爐重摻砷雜質(zhì)的揮發(fā)器裝置，其特征在于，所述第一高壓桶內(nèi)設(shè)有掛臺（5），掛臺處設(shè)有掛槽（5-1），所述載料舟（6）上對稱設(shè)置舟耳（6-1），舟耳與掛槽匹配掛合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于寧晉賽美港龍電子材料有限公司，未經(jīng)寧晉賽美港龍電子材料有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320535991.4/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
