[實用新型]平板可控硅組絕緣底殼有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320535483.6 | 申請日: | 2013-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN203398096U | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張福貴;魏廣智;程道星;朱衛(wèi)東;孟苗苗;王瑞芳 | 申請(專利權(quán))人: | 焦作華飛電子電器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/13 | 分類號: | H01L23/13;H01L23/367 |
| 代理公司: | 鄭州中原專利事務所有限公司 41109 | 代理人: | 霍彥偉;喬玉萍 |
| 地址: | 454000 *** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 平板 可控硅 絕緣 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種殼,尤其涉及一種應用于平板可控硅的絕緣底殼。
背景技術(shù)
目前常見大直徑可控硅絕緣導熱底座,多應用于單只可控硅安裝使用,若單只可控硅組合使用并同時滿足導熱和絕緣要求,方案復雜實現(xiàn)困難。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的就在于提供一種平板可控硅組絕緣底殼,以解決現(xiàn)有技術(shù)中將單只可控硅組合使用結(jié)構(gòu)復雜、難以實現(xiàn)的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型采用以下技術(shù)方案:
本實用新型包括殼體,在所述殼體上設有中間套管和預留孔,預留孔內(nèi)嵌有高導熱絕緣塊,高導熱絕緣塊與殼體的底面平齊。
所述殼體四周設有殼體邊沿,殼體邊沿的高度為28~35mm。
所述中間套管高度為42~46mm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,采用上述方案的本實用新型可使大直徑可控硅組合使用。殼體和中間套管采用絕緣材料一次澆注成型,高導熱絕緣塊既能滿足絕緣要求又能實現(xiàn)導熱要求,并且可承受大直徑可控硅安裝所需要的較大壓緊力。
附圖說明
圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型包括殼體1,在所述殼體上設有中間套管3和預留孔,預留孔內(nèi)嵌有高導熱絕緣塊2,高導熱絕緣塊2與殼體1的底面平齊,保證導熱效果。
作為本實用新型的改進:所述殼體1四周設有殼體邊沿,殼體邊沿的高度為32mm,中間套管3高度為44mm,均為有效絕緣距離,可實現(xiàn)電元件與外殼、緊固件安全絕緣。除此之外,殼體1邊沿的高度可設置為28?mm、30?mm、35?mm,也可根據(jù)實際需要將其設置為28~35mm之間的任意數(shù)值;中間套管3的高度可設置為42?mm?、43?mm?、45?mm?,也可根據(jù)實際需要將其設置為42~46mm之間的任意數(shù)值。
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