[實用新型]半圓形碳化硅托燒窯具

有效

• 申請號: 201320535291.5
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN203478994U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 毛必明;鄭樹清;吳事江;滕方雄;駱建華
• 申請（專利權）人: 山東納瑞環保科技有限公司
• 主分類號: F27D3/12
• 分類號: F27D3/12
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 馬俊榮

技術領域

本實用新型涉及一種托燒窯具，特別涉及一種半圓形碳化硅托燒窯具，屬于管狀陶瓷及耐火材料產品生產的技術領域。

背景技術

對于長度較大的管狀陶瓷及耐火材料制品而言，都需要用窯具裝載后進行燒制。現有的管狀陶瓷產品及耐火材料制品的生產一般采用以下兩種托燒方式，一是直接放置硼板上；二是套在管狀窯具中。這兩種托燒方式在實際使用過程中存在以下問題：其一，直接放置于硼板上燒成，管狀陶瓷及耐火材料制品在燒成過程中易彎曲、變形，影響產品的質量。其二，套在管狀窯具中燒成，現研究發現此只適合管長度小于800mm的產品，當管長度超過800mm時在裝燒過程中管狀陶瓷及耐火材料坯體易破碎，并且裝窯和出窯效率低、勞動力大，進而影響產品的生產效率。

實用新型內容

根據以上現有技術中的不足，本實用新型要解決的問題是：提供一種生產效率高，降低勞動力，燒成過程中不易彎曲和變形，可生產長度超過800mm的管狀陶瓷及耐火材料制品的半圓形碳化硅托燒窯具。

本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是：

所述的半圓形碳化硅托燒窯具，包括窯車，窯車兩端設置立柱，窯車兩端的立柱之間設置橫梁，橫梁上設置半圓托管。

所述的半圓形碳化硅托燒窯具將托管設置成半圓形，不但提高管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產效率，同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量，提高窯具的壽命。

其中優選：

所述的立柱由8～10層小立柱構成，底層立柱為凹字形，其余上層立柱的底部設置凸槽，上部設置凹槽，凸槽和凹槽的寬度相等。立柱從第二層小立柱開始，上一層立柱底部的凸槽放入下一層立柱的凹槽內，橫梁與立柱的凸槽可緊密疊放于下一層立柱的凹槽中，實現了多層燒成，提高了窯爐的利用率，節約能源，提高了生產效率。

所述的半圓托管內設置管狀陶瓷及耐火材料制品管，半圓托管與管狀陶瓷及耐火材料制品管的直徑差為10mm～50mm。方便裝窯與出窯，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損。

所述的立柱的相鄰兩層小立柱的凸槽和凹槽連接后形成一空腔，橫梁設置在空腔內，橫梁與空腔之間存在0.5mm～1mm的空隙。上一層立柱底部的凸槽寬度與下一層立柱凹槽的寬度一致，橫梁放置在立柱的凹槽內，確保橫梁和立柱的凸槽在立柱的凹槽內有縫隙，使若干層支架上、下穩定疊放，不會發生相對滑動，并防止材料應熱膨脹而損壞。

所述的半圓托管的材質為重結晶碳化硅或燒結法碳化硅或剛玉-莫來石，立柱的材質為剛玉-莫來石或重結晶碳化硅，橫梁的材質為重結晶碳化硅或反應燒結碳化硅或氮化硅結合碳化硅。

本實用新型所具有的有益效果是：

所述的半圓形碳化硅托燒窯具提高了管狀陶瓷及耐火材料制品管與裝載窯具的接觸面積，可形成同一截面上管狀陶瓷及耐火材料制品管與裝載窯具有三個以上的接觸點，有效的防止了管狀陶瓷及耐火材料制品在燒成過程中的彎曲、變形等缺陷。所設計的半圓形結構可提高管狀陶瓷及耐火材料制品的裝窯與出窯效率，減少勞動力，減小裝燒過程中坯體的開裂與破損等問題，提高了生產效率。同時，半圓托燒窯具可減輕窯具的重量、減少窯具消耗的熱能，提高窯具的壽命。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖；

圖2為本實用新型半圓托管剖視圖；

圖3為本實用新型立柱的側視圖；

其中，1、窯車；2、橫梁；3、半圓托管；4、管狀陶瓷及耐火材料制品管；5、立柱；6、凹槽；7、上層立柱；8、凸槽；9、空腔；10、底層立柱。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的實施例做進一步描述：

如圖1、圖2所示，本實用新型所述的半圓形碳化硅托燒窯具，包括窯車1，窯車1兩端設置立柱5，窯車1兩端的立柱5之間設置橫梁2，橫梁2上設置半圓托管3。

其中，如圖3所示，立柱5由8～10層小立柱構成，底層立柱10為凹字形，其余上層立柱7的底部設置凸槽8，上部設置凹槽6，凸槽8和凹槽6的寬度相等。半圓托管3內設置管狀陶瓷及耐火材料制品管4，半圓托管3與管狀陶瓷及耐火材料制品管4的直徑差為10mm～50mm。立柱5的相鄰兩層小立柱的凸槽8和凹槽6連接后形成一空腔9，橫梁2設置在空腔9內，橫梁2與空腔9之間存在0.5mm～1mm的空隙。半圓托管3的材質為重結晶碳化硅或燒結法碳化硅或剛玉-莫來石，立柱5的材質為剛玉-莫來石或重結晶碳化硅，橫梁2的材質為重結晶碳化硅或反應燒結碳化硅或氮化硅結合碳化硅。