[實用新型]一種LED芯片及LED

有效

• 申請號: 201320534887.3
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN203434186U
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發明（設計）人: 劉晶;葉國光
• 申請（專利權）人: 劉晶
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/48
• 代理公司: 廣州市越秀區哲力專利商標事務所(普通合伙) 44288
• 代理人: 湯喜友

1.一種LED芯片，包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導體層、發光層和P型半導體層，所述P型半導體層上的部分區域被去除至顯露N型半導體層，所述顯露的N型半導體層上設置有N型電極，所述P型半導體層上未被去除的區域設置有P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設置有電流阻擋層，所述P型半導體層上除電流阻擋層覆蓋的區域以外設置有電流擴散層，所述電流阻擋層上設置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設置有材料為金的電極焊線層。

2.根據權利要求1所述的一種LED芯片，其特征在于：所述N型電極包括與P型電極相同的所述第三電極層和材料為金的電極焊線層。

3.根據權利要求2所述的一種LED芯片，其特征在于：所述N型電極還包括有與P型電極相同的所述第一電極接觸層、電流阻擋層和第二電極接觸層。

4.根據權利要求1所述的一種LED芯片,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

5.根據權利要求1所述的一種LED芯片,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

6.一種LED，包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線和焊點、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體，所述芯片包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導體層、發光層和P型半導體層，所述P型半導體層上的部分區域被去除至顯露N型半導體層，所述顯露的N型半導體層上設置有N型電極，所述P型半導體層上未被去除的區域設置有P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設置有電流阻擋層，所述P型半導體層上除電流阻擋層覆蓋的區域以外設置有電流擴散層，所述電流阻擋層上設置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設置有材料為金的電極焊線層，所述焊線和焊點材料為：Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。

7.根據權利要求6所述的一種LED，其特征在于：所述N型電極包括與P型電極相同的所述第一電極接觸層、電流阻擋層、第二電極接觸層、第三電極層和材料為金的電極焊線層。

8.根據權利要求6所述的一種LED芯片,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

9.根據權利要求6所述的一種LED芯片,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。