[實(shí)用新型]一種LED管芯片及LED管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320534863.8
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203553205U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉晶;葉國(guó)光
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 劉晶
• 主分類號(hào): H01L33/36
• 分類號(hào): H01L33/36;H01L33/40
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 湯喜友

1.一種LED管芯片，包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一電極接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層。

2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

4、一種LED管，包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線和焊點(diǎn)、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體，將芯片固定在支架上的導(dǎo)電膠，所述芯片包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一電極接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴(kuò)散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層，所述焊線和焊點(diǎn)材料為：?Au、Al、Ag、Pd或Cu。

5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。