[實(shí)用新型]一種LED管芯片及LED管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320534863.8 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203553205U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉晶;葉國(guó)光 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 劉晶 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/36 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司: | 廣州市越秀區(qū)哲力專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 湯喜友 |
| 地址: | 529000 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 芯片 | ||
1.一種LED管芯片,包括襯底,和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極,其特征在于:所述P型電極包括有第一電極接觸層,所述第一電極接觸層上設(shè)置有電流阻擋層,所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層,所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層,所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層,所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴(kuò)散層歐姆接觸,所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線(xiàn)層。
2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片,其特征在于:所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt,所述電流阻擋層的材料為:TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。
3、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片,其特征在于:所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni,所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
4、一種LED管,包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線(xiàn)和焊點(diǎn)、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體,將芯片固定在支架上的導(dǎo)電膠,所述芯片包括襯底,和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極,其特征在于:所述P型電極包括有第一電極接觸層,所述第一電極接觸層上設(shè)置有電流阻擋層,所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴(kuò)散層,所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層,所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層,所述第二電極接觸層和第三電極接觸層包裹所述電流阻擋層并與電流擴(kuò)散層歐姆接觸,所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線(xiàn)層,所述焊線(xiàn)和焊點(diǎn)材料為:?Au、Al、Ag、Pd或Cu。
5、根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管,其特征在于:所述第一電極接觸層的材料為:Ti或Cr或Al或Ag或Pt,所述電流阻擋層的材料為:TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。
6、根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管,其特征在于:所述第二電極接觸層的材料為:Ti或Ni,所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L33-00 至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備;這些半導(dǎo)體器件的零部件
H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
H01L33-48 .以半導(dǎo)體封裝體為特征的
H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件





