[實用新型]用于處理基板的腔室

有效

• 申請號: 201320533432.X
• 申請日: 2012-02-29
• 公開（公告）號: CN203746815U
• 公開（公告）日: 2014-07-30
• 發明（設計）人: 杰瑞德·阿哈默德·里;馬丁·杰夫·薩里納斯;保羅·B·路透;伊瑪德·尤瑟夫;阿尼魯達·帕爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

本申請為申請日為2012年2月29日、申請號為201290000091.3、名稱為“用于轉移基板及限制自由基的箍組件”的實用新型專利申請的分案申請。?

技術領域

本發明的實施例大體涉及一種在半導體基板上制造裝置的設備。更具體而言，本發明的實施例提供一種在腔室內轉移基板及限制處理環境的設備。?

背景技術

在半導體裝置的制造期間，通常在處理腔室內處理基板，在該處理腔室中可對基板執行沉積、蝕刻、熱處理。尤其隨著半導體組件的尺寸快速減少，改良處理均勻性及減少粒子污染為半導體處理的兩個恒定目標。?

半導體處理腔室大體包括腔室主體，腔室主體限定用于處理基板的內容積。在處理期間通常將基板支撐設置于內容積中以支撐基板。經由腔室主體可形成一或更多個流量閥門以允許基板通過而進入及離開內容積。經由腔室主體亦形成氣體供應路徑及泵通道以提供處理氣體且泵內容積至所要壓力。流量閥開口、氣體供應路徑、泵通道及基板支撐通常引起腔室主體的內壁不對稱及/或不規則，因此引起非均勻傳導率及/或電場不對稱。因此，可將基板上的不同區域暴露于不同處理條件下且整個基板的處理均勻性減低。此外，處理氣體可行進至流量閥區域且在流量閥區域周圍引起污染。?

因此，存在對于在半導體處理腔室內改良處理均勻性且減少污染的方法及設備的需要。?

發明內容

本發明的實施例大體提供處理基板的設備。更具體而言，本發明的實施例提供在腔室內轉移基板及限制處理環境的設備。?

本發明的一個實施例提供用于轉移基板及限制自由基的箍組件。箍組件包?括石英限制環，限制環在限制環內限定限制區，限制環包括：圓柱形套管，其具有形成圓柱形壁的內表面和外表面，圓柱形套管具有與下端基本平行的上端；以及大致垂直脊，其形成在外表面上，垂直脊不完全延伸到圓柱形套管的下端。?

本發明的另一實施例提供用于處理基板的腔室。腔室包括：腔室主體，該腔室主體于該腔室主體內限定腔室容積；基板支撐托架組件，設置于該腔室容積內；及箍組件，該箍組件在腔室容積內部可移動。腔室主體具有可密封基板轉移開口。箍組件包括在升高位置與降低位置之間可移動的限制環。限制環在降低位置于基板支撐托架組件上方限定限制的限制區。?

本發明的又一實施例提供一種處理基板的方法。該方法包括經由處理腔室的開口轉移基板至設置于處理腔室內的箍組件的三或更多個升降指。箍組件包括限制環，該限制環于該限制環內限定圓柱形限制區。該方法還包括降低箍組件以從升降指轉移基板至設置于處理腔室內的基板支撐托架組件、將箍組件定位于處理位置。限制區為至少正好在設置于基板支撐托架組件上的基板上方，且限制環將開口遮蔽。該方法還包括通過供應處理氣體至限制區來處理基板，且箍組件處于處理位置。?

在上述方法中，當箍組件處于處理位置時，限制環的高度從基板跨越至定位于基板支撐托架組件上方的噴頭的下表面。上述方法可還包括升高限制環至在處理腔室的頂板中形成的孔穴內。?

本發明的又一實施例提供一種用于處理基板的腔室，所述腔室包括：腔室主體，所述腔室主體于所述腔室主體內限定腔室容積，所述腔室主體具有可密封基板轉移開口；基板支撐托架組件，所述基板支撐托架組件設置于所述腔室容積內；以及箍組件，所述箍組件在所述腔室容積內部可移動，其中，所述箍組件包括限制環，所述限制環于所述限制環內限定限制區，所述箍組件的所述限制環在升高位置與降低位置之間可移動，并且當所述箍組件在所述降低位置時，所述限制區在所述基板支撐托架組件上方。?

所述箍組件還包括：三或更多個升降指，所述三或更多個升降指在所述限制環下方延伸，其中，所述三或更多個升降指的每一者具有從所述限制環徑向向內定位的接觸端，以在所述限制區下方形成基板支撐表面且將所述基板支撐表面與所述限制區間隔開，所述限制區由所述限制環限定。?

所述限制環的所述升高位置在所述可密封基板轉移開口上方，且所述限制環的所述降低位置在所述可密封基板轉移開口前面。?

所述腔室還包括：噴頭，所述噴頭設置在所述基板支撐托架組件上方，其中，所述限制環的高度從所述噴頭的下表面跨越至所述基板支撐托架組件的上表面。?

所述腔室還包括：蓋件，所述蓋件具有孔穴，當所述限制環處于所述升高位置時，所述孔穴接收所述限制環。?

所述限制環為具有垂直延伸側壁的套環，且在所述垂直延伸側壁的內表面與外表面之間形成一或更多個通孔。?

所述限制環具有在處理期間足以同時與所述基板支撐托架組件及噴頭兩者重迭的高度。?