[實用新型]用于執行晶片的度量的裝置有效
| 申請號: | 201320532727.5 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN203967041U | 公開(公告)日: | 2014-11-26 |
| 發明(設計)人: | J·H·張 | 申請(專利權)人: | 意法半導體公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 王茂華;張寧 |
| 地址: | 美國得*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 執行 晶片 度量 裝置 | ||
1.一種用于執行晶片的度量的裝置,其特征在于,所述裝置包括:
襯底;
在所述襯底上的多個微探測器;
至少一個光源,其中所述至少一個光源將光引向所述多個微探測器之一上;
多個光電檢測器,用于檢測從所述多個微探測器中的每個微探測器反射的所述光,其中檢測所述光包括生成與所述微探測器中的每個微探測器關聯的檢測信號;以及
至少一個控制器,用于:
向所述多個微探測器中的每個微探測器發送驅動信號;并且
基于所述檢測信號中的每個檢測信號確定所述晶片的高度分布和表面電荷分布。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,
所述晶片包括多個器件;并且
所述多個微探測器包括多個子集,所述多個子集中的每個子集包括所述多個微探測器中的一個或者多個微探測器,其中所述多個子集中的每個子集與所述晶片的所述多個器件之一關聯。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,
所述多個子集中的每個子集包括所述多個微探測器中的多于一個微探測器。
4.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,
響應于所述確定的高度分布和所述確定的表面分布,所述至少一個控制器向用于處理晶片的制作工具發送至少一個制作參數。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,還包括:
多個保護膜,用于包括所述多個微探測器。
6.根據權利要求5所述的裝置,其特征在于,
所述多個保護膜由有孔材料形成。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,
所述有孔材料具有在20nm與200nm之間的孔徑尺寸。
8.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,
所述有孔材料是沸石化合物或者金屬有機框架。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,
所述多個光電檢測器中的每個光電檢測器是包括多段的段式光電二極管;
所述檢測信號包括多個段信號,所述多個段信號中的每個段信號來自所述光電二極管的相應段;并且
從所述多個段信號確定所述高度分布和所述表面電荷分布。
10.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,
在由所述多個光電檢測器檢測之前,向相應干涉儀中輸入從所述多個微探測器中的每個微探測器反射的所述光。
11.根據權利要求10所述的裝置,其特征在于,
每個相應干涉儀包括集成光學電路。
12.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,
所述襯底是半導體晶片。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





