[實用新型]低功耗自斷電電路及其電平轉換電路

有效

• 申請號: 201320531888.2
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN203492002U
• 公開（公告）日: 2014-03-19
• 發明（設計）人: 戴頡;職春星
• 申請（專利權）人: 燦芯半導體（上海）有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249
• 代理人: 徐雯瓊;包姝晴

1.一種電平轉換電路，其特征在于，

所述電平轉換電路的輸入信號是第二電壓域的信號PD，將該信號轉換后得到的輸出信號是第一電壓域的信號PD_OUT，其中，所述第一電壓域的第一電壓VDD1大于第二電壓域的第二電壓VDD2；

所述電平轉換電路，包含管MN1和管MN2的兩個NMOS晶體管，管MP1和管MP2的兩個PMOS晶體管，以及二極管串；所述二極管串由多個二級管接法的PMOS晶體管連接組成，每個所述二級管接法的PMOS晶體管的柵極與漏極相連；所述二極管串中第一個二級管接法的PMOS晶體管的源極接第一電壓VDD1；

管MN1和管MP1組成一個反相器：使管MN1和管MP1的柵極連接至輸入端來接收第二電壓域的信號PD，管MN1和管MP1的漏極連接于信號端PD_，管MN1的源極接地，管MP1的源極接所述二極管串中最后一個所述二級管接法的PMOS晶體管的漏極；

管MN2和管MP2組成另一個反相器：管MN2和管MP2的柵極連接于信號端PD_，管MN2和管MP2的漏極連接至輸出端來發送第一電壓域的信號PD_OUT，管MN2的源極接地，管MP2的源極接第一電壓VDD1。

2.?如權利要求1所述的電平轉換電路，其特征在于，

所述二極管串中二級管接法的PMOS晶體管的數量，由所述第一電壓VDD1與第二電壓VDD2的電壓差及任意一個所述二級管接法的PMOS晶體管的正向導通閾值電壓決定，該數量為所述電壓差除以所述正向導通閾值電壓的值按四舍五入得到的整數值。

3.一種低功耗自斷電電路，其特征在于，所述低功耗自斷電電路包含：

工作在第二電壓域的第二電壓VDD2下的工作電路（401），以及工作在第一電壓域的第一電壓VDD1下的電平轉換電路（402）、觸發器（404）、電源電路（405）、與門（408）、接高電路（409）；

所述工作電路（401）產生的電壓關斷信號PD，經過所述電平轉換電路（402）轉換后，發送至所述觸發器（404）的時鐘端CK；所述觸發器（404）的輸出端Q連接至所述電源電路（405），以便于控制該電源電路（405）是否向工作電路（401）提供第二電壓VDD2；所述觸發器（404）的輸入端D通過接高電路（409）連接至高電平的第一電壓VDD1；喚醒信號WAKEUP和上電復位信號POR分別連接至所述與門（408）的輸入端，所述與門（408）的輸出端連接至觸發器（404）的清零端RN。

4.?如權利要求3所述的低功耗自斷電電路，其特征在于，

所述第一電壓VDD1大于第二電壓VDD2時，所述電平轉換電路（402）包含管MN1和管MN2的兩個NMOS晶體管，管MP1和管MP2的兩個PMOS晶體管，以及二極管串；

所述二極管串由多個二級管接法的PMOS晶體管連接組成，每個所述二級管接法的PMOS晶體管的柵極與漏極相連；所述二極管串中第一個二級管接法的PMOS晶體管的源極接第一電壓VDD1；

管MN1和管MP1組成一個反相器：使管MN1和管MP1的柵極連接至輸入端來接收第二電壓域的信號PD，管MN1和管MP1的漏極連接于信號端PD_，管MN1的源極接地，管MP1的源極接所述二極管串中最后一個所述二級管接法的PMOS晶體管的漏極；

管MN2和管MP2組成另一個反相器：管MN2和管MP2的柵極連接于信號端PD_，管MN2和管MP2的漏極連接至輸出端來發送第一電壓域的信號PD_OUT，管MN2的源極接地，管MP2的源極接第一電壓VDD1。

5.如權利要求4所述的低功耗自斷電電路，其特征在于，

所述二極管串中所述二級管接法的PMOS晶體管的數量，由所述第一電壓VDD1與第二電壓VDD2的電壓差及任意一個所述二級管接法的PMOS晶體管的正向導通閾值電壓決定，該數量為所述電壓差除以所述正向導通閾值電壓的值按四舍五入得到的整數值。