[實用新型]基于光子晶體的RF-MEMS開關

有效

• 申請號: 201320529312.2
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN203398032U
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 宋明歆;吳蕊
• 申請（專利權）人: 哈爾濱理工大學
• 主分類號: H01H59/00
• 分類號: H01H59/00
• 代理公司: 哈爾濱市松花江專利商標事務所 23109
• 代理人: 張宏威

1.基于光子晶體的RF-MEMS開關，其特征在于，它包括硅襯底（1）、二氧化硅層（2）、兩個Al電極（3）、介質層（4）、金屬電極（5）和傳輸線（6）；硅襯底（1）位于最下端，二氧化硅層（2）完全覆蓋在硅襯底（1）的上表面上；二氧化硅層（2）的上表面的兩側分別覆有一個Al電極（3）；金屬電極（5）為n型，金屬電極（5）的兩端安裝在Al電極（3）的上表面上；介質層（4）覆在二氧化硅層（2）的上表面的中間，介質層（4）與二氧化硅層（2）的寬相同，介質層（4）與二氧化硅層（2）的中心重合；二氧化硅層（2）和介質層（4）的中間覆有傳輸線（6）；

所述介質層（4）為光子晶體結構，該光子晶體結構包括Si₃N₄介質層和SiO₂介質層，并且Si₃N₄介質層和SiO₂介質層并行交替排列。

2.根據權利要求1所述基于光子晶體的RF-MEMS開關，其特征在于，Si₃N₄介質層和SiO₂介質層并行交替排列，所述Si₃N₄介質層的寬度為25μm。

3.根據權利要求1所述基于光子晶體的RF-MEMS開關，其特征在于，Si₃N₄介質層和SiO₂介質層并行交替排列，所述SiO₂介質層的寬度為25μm。

4.根據權利要求1所述基于光子晶體的RF-MEMS開關，其特征在于，所述金屬電極（5）為n型，兩端為Al柱，上面懸掛的Al梁能夠沿著Al柱上下移動。

5.根據權利要求1所述基于光子晶體的RF-MEMS開關，其特征在于，所述傳輸線（6）為CPW共面波導。