[實(shí)用新型]一種電阻檢測(cè)電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320528726.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203465353U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張子秋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海芯芒半導(dǎo)體有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G01R27/14
• 分類(lèi)號(hào): G01R27/14
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉電路測(cè)量領(lǐng)域，特別涉及一種電阻檢測(cè)電路。

背景技術(shù)

電阻作為無(wú)源器件，在芯片內(nèi)部和芯片外部都有廣闊的應(yīng)用。芯片內(nèi)部的電阻可以給系統(tǒng)設(shè)置帶來(lái)方便，其已經(jīng)有固定設(shè)置好的阻值，使用戶省去一個(gè)外部電阻R，方便用戶使用。但是由于內(nèi)部電阻的固定性，也會(huì)給一些具體的應(yīng)用帶來(lái)不方便，用戶不能按照他們的應(yīng)用設(shè)置或調(diào)節(jié)電阻值，所以在很多場(chǎng)合需要有可外部設(shè)置電阻值的功能。比如在電源系統(tǒng)設(shè)置限流值的時(shí)候，既需要有內(nèi)部固定值，也需要有外部可設(shè)置值。還有很多，比如設(shè)置輸出電壓，設(shè)置輸出電流等等，僅僅有內(nèi)部固定值是不夠的，還都需要有外部可調(diào)節(jié)、可設(shè)置阻值的功能。而目前現(xiàn)有的芯片皆無(wú)此功能。

本實(shí)用新型的目的是為了設(shè)計(jì)一種簡(jiǎn)單、穩(wěn)定的電阻檢測(cè)電路設(shè)計(jì)，用以檢測(cè)外部是否有外部電阻，從而改變芯片的阻值來(lái)適應(yīng)以上的要求，實(shí)現(xiàn)所需的應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足，提供了一種電阻檢測(cè)電路，可應(yīng)用于各種電源管理芯片，用以檢測(cè)外部是否接有電阻，從而控制切換阻值，實(shí)現(xiàn)外部可調(diào)節(jié)、可設(shè)置阻值的功能。

本實(shí)用新型通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種電阻檢測(cè)電路，包括：

帶隙基準(zhǔn)源，用以產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流以及基準(zhǔn)到位信號(hào)；

上升延遲單元，連接帶隙基準(zhǔn)源，接收基準(zhǔn)到位信號(hào)，并產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的延遲信號(hào)；

電壓轉(zhuǎn)電流電路，連接帶隙基準(zhǔn)源，接收基準(zhǔn)電壓，將基準(zhǔn)電壓轉(zhuǎn)化為一第一電流，電壓轉(zhuǎn)電流電路包括一內(nèi)部電阻，電壓轉(zhuǎn)電流電路可連接一外部電阻；

電流鏡單元，連接電壓轉(zhuǎn)電流電路，接收電壓轉(zhuǎn)電流電路輸出的電流，并輸出對(duì)應(yīng)的一第二電流以及一第三電流；

電流比較器，連接帶隙基準(zhǔn)源、上升延遲單元、電流鏡單元以及電壓轉(zhuǎn)電流電路，接收基準(zhǔn)到位信號(hào)、基準(zhǔn)電流、延遲信號(hào)以及第二電流，通過(guò)將第二電流與基準(zhǔn)電流比較，將比較結(jié)果輸出至電壓轉(zhuǎn)電流電路，判斷電壓轉(zhuǎn)電流電路是否連接有外部電阻，以控制第一電流；

電流應(yīng)用電路，連接電流鏡單元以及上升延遲單元，在電流比較器比較完成后，接收第三電流，完成對(duì)應(yīng)的功能；

其中，電壓轉(zhuǎn)電流電路在連接有外部電阻的情況下，第一電流的值為基準(zhǔn)電壓除以外部電阻所得到的電流值，電壓轉(zhuǎn)電流電路在未連接有外部電阻的情況下，第一電流的值為基準(zhǔn)電壓除以?xún)?nèi)部電阻所得到的電流值。

較佳的，電壓轉(zhuǎn)電流電路包括：

放大器，放大器的正向輸入端連接帶隙基準(zhǔn)源，接收基準(zhǔn)電壓；

NMOS管，NMOS管的柵極連接放大器的輸出端，NMOS管的源極連接放大器的負(fù)向輸入端；

第一開(kāi)關(guān)，一端連接在NMOS管的源極以及放大器的負(fù)向輸入端之間，另一端連接內(nèi)部電阻；

第二開(kāi)關(guān)，一端連接在NMOS管的源極以及放大器的負(fù)向輸入端之間，另一端可連接外部電阻。

較佳的，第一開(kāi)關(guān)在初始狀態(tài)下為斷開(kāi)狀態(tài)，第二開(kāi)關(guān)在初始狀態(tài)下為閉合狀態(tài)。

較佳的，電流鏡單元包括：

若干PMOS管，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管，NMOS管的漏極連接第一PMOS管的漏極，以及第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的柵極，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源極連接一電源，第二PMOS管的漏極連接電流源，第三PMOS管的漏極連接電流應(yīng)用電路。

較佳的，電流比較器包括：

第一反相器，第一反相器的輸入端連接第二PMOS管的漏極；

觸發(fā)器，觸發(fā)器的輸入端連接第一反相器的輸出端，觸發(fā)器的觸發(fā)端連接上升延遲單元，接收延遲信號(hào)，觸發(fā)器的復(fù)位端連接帶隙基準(zhǔn)源，接收基準(zhǔn)到位信號(hào)，觸發(fā)器的輸出端連接第一開(kāi)關(guān)，以控制第一開(kāi)關(guān)的開(kāi)合狀態(tài)；

第二反相器，連接觸發(fā)器的輸出端，第二反相器的輸出端連接第二開(kāi)關(guān)，以控制第二開(kāi)關(guān)的開(kāi)合狀態(tài)；

電流源，一端連接第一反相器的輸入端以及第二PMOS管的漏極，另一端接地。

較佳的，電流源的電流值與基準(zhǔn)電壓除以外部電阻的最大值進(jìn)行比較，若電流源的電流值大于基準(zhǔn)電壓除以外部電阻的最大值，則第一開(kāi)關(guān)閉合，第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，若電流源的電流值小于基準(zhǔn)電壓除以外部電阻的最大值，則第二開(kāi)關(guān)閉合，第一開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

附圖說(shuō)明

圖1所示的是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示的是本實(shí)用新型一實(shí)施例的電路結(jié)構(gòu)圖；

圖3所示的是本實(shí)用新型在連接外部電阻的狀態(tài)下的各個(gè)信號(hào)的比較圖；

圖4所示的是本實(shí)用新型在不接外部電阻的狀態(tài)下的各個(gè)信號(hào)的比較圖。

具體實(shí)施方式