[實用新型]一種陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201320526664.2 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN203445120U | 公開(公告)日: | 2014-02-19 |
| 發明(設計)人: | 程鴻飛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,尤其涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
液晶顯示器是一種平面超薄的顯示設備,其具有體積小、厚度薄、重量輕、耗能少、輻射低等優點,廣泛應用于各種電子顯示設備中。液晶顯示器的顯示效果主要由液晶顯示面板決定,液晶顯示面板主要包括陣列基板、彩膜基板以及位于兩塊基板之間的液晶分子層。其中,陣列基板在很大程度上決定了液晶顯示面板的響應時間和顯示效果。
陣列基板上通常包括薄膜晶體管、像素電極等結構,其中薄膜晶體管具體包括柵極、有源層、源極、漏極等結構。在底柵型薄膜晶體管陣列基板制作過程中,通常需要5次構圖工藝分別形成柵極、有源層、源極和漏極、漏極過孔以及像素電極。頂柵型薄膜晶體管陣列基板的制作則需要經過更加復雜的構圖工藝以形成各層結構。
實用新型人發現,傳統的陣列基板結構復雜,需要經過多次構圖工藝才能制作形成,成本較高,且多次構圖工藝中存在對位誤差問題,降低了陣列基板的良品率。
實用新型內容
本實用新型所要解決的技術問題在于提供一種陣列基板及顯示裝置,能夠簡化陣列基板的結構,減少陣列基板制作過程中的構圖次數,提高了陣列基板的良品率。
為解決上述技術問題,本實用新型實施例提供的一種陣列基板采用如下技術方案:
一種陣列基板,包括襯底基板、柵線、數據線、陣列排布在所述襯底基板上的薄膜晶體管、像素電極和鈍化層,所述薄膜晶體管包括柵極、有源層、源極和漏極,所述像素電極和所述有源層、所述漏極同層設置且一體成型。
所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管,所述陣列基板包括位于所述襯底基板上的所述柵線和所述柵極,位于所述柵線和所述柵極之上的第一絕緣層,位于所述第一絕緣層之上的所述有源層、所述漏極和所述像素電極,位于所述有源層、所述漏極和所述像素電極之上的所述數據線和所述源極,以及位于所述數據線和所述源極之上的所述鈍化層,其中,所述薄膜晶體管的源極連接所述有源層。
所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管,所述陣列基板包括位于所述襯底基板上的所述有源層、所述漏極和所述像素電極,位于所述有源層、所述漏極和所述像素電極之上的第一絕緣層,位于所述第一絕緣層之上的所述柵線和柵極,位于所述柵線和所述柵極之上的第二絕緣層,位于所述第二絕緣層之上的所述數據線和所述源極,以及位于所述數據線和所述源極之上的所述鈍化層,其中,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層設置有對應所述有源層的過孔,所述薄膜晶體管的源極通過所述過孔連接所述有源層。
所述薄膜晶體管為底柵型薄膜晶體管,所述鈍化層還包括對應所述像素電極的開口。
所述薄膜晶體管為頂柵型薄膜晶體管,所述第一絕緣層、所述第二絕緣層和所述鈍化層還包括對應所述像素電極的開口。
所述陣列基板還包括:位于所述鈍化層之上的公共電極。
所述公共電極上有狹縫。
所述有源層、所述漏極和所述像素電極的材質為氧化物半導體材料;所述有源層、所述漏極和所述像素電極的厚度為
以上所述的實施例提供了一種陣列基板,該陣列基板包括具有如上所述的結構。該陣列基板上像素電極、有源層和漏極同層設置且一體成型,簡化了陣列基板的結構,在陣列基板的制作過程中可以有效減少構圖工藝次數,節約了成本。同時,還避免了多次構圖工藝存在的對位誤差問題,提高了陣列基板的良品率,應用該陣列基板的顯示面板具有更好的顯示效果。
本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括如上所述的陣列基板。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本實用新型實施例中的一種底柵型薄膜晶體管陣列基板平面圖;
圖2為本實用新型實施例中的圖1所示的底柵型薄膜晶體管陣列基板沿I-I’方向的剖面圖;
圖3為本實用新型實施例中陣列基板的制作方法流程圖;
圖4為本實用新型實施例中的另一種底柵型薄膜晶體管陣列基板示意圖;
圖5為本實用新型實施例中的底柵型薄膜晶體管陣列基板的制作方法流程圖;
圖6為本實用新型實施例中的一種頂柵型薄膜晶體管陣列基板平面圖;
圖7為本實用新型實施例中的圖6所示的一種頂柵型薄膜晶體管陣列基板沿I-I’方向的剖面圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





