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[實用新型]一種利用甲基三氯硅烷生產氣相法白炭黑的旋風分離裝置有效

專利信息
申請號: 201320525015.0 申請日: 2013-08-27
公開(公告)號: CN203417774U 公開(公告)日: 2014-02-05
發明(設計)人: 羅燚;方紅承;彭金鑫;李新欣;曹華俊;蘭永平 申請(專利權)人: 浙江合盛硅業有限公司
主分類號: B04C5/26 分類號: B04C5/26;C01B33/113
代理公司: 嘉興君度知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33240 代理人: 沈志良
地址: 314200 浙江省*** 國省代碼: 浙江;33
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摘要:
搜索關鍵詞: 一種 利用 甲基 硅烷 生產 氣相法白 炭黑 旋風 分離 裝置
【說明書】:

技術領域

本實用新型屬于精細化工領域的生產裝置,尤其是一種利用甲基三氯硅烷生產氣相法白炭黑的旋風分離裝置。

背景技術

氣相二氧化硅俗稱氣相法白炭黑,粒徑微小(7~40nm),比表面積大(50-400m2/g),產品純度高(SiO2≥99.8%),分為親水型和疏水型產品。作為一種重要的納米級無機化工原材料,該產品具有優越的表面化學性能以及良好的生理惰性,廣泛應用于硅橡膠、膠粘劑、油漆、涂料、油墨、紙張、化妝品、醫藥、食品等領域,起到補強、增稠、觸變、消光等作用,是高技術領域和國防工業必不可少的原材料。其年均增長率高達百分之十幾,產品前途光明,屬于朝陽行業。受原料緊張影響氣相白炭黑價格自今年上半開始一路上漲,從原來的15000元/噸,上漲到目前的25000元/噸,以此趨勢預計明年將漲到30000元/噸以上。

生產氣相法白炭黑的硅烷鹵化物原料目前主要有SiCl4和CH3SiCl3?兩種,其中SiCl4為多晶硅原料HSiCl3中的最主要副產物,CH3SiCl3則為有機硅單體甲基氯硅烷生產過程中的主要副產物。目前,受多晶硅行業不景氣的影響,四氯化硅的價格從過去的“白送”免費,上漲到4000多元/噸,并且市場上還買不到,嚴重限制了國內諸多企業白炭黑生產裝置開工不足,結果也導致近兩年內氣相白炭黑的價格將近上漲了一倍左右。而國內有機硅單體生產規模及產能近年來逐年遞增,產生了大量的副產物CH3SiCl3。因此,利用CH3SiCl3作為原料來代替SiCl4更具有成本優勢。

傳統的利用SiCl4通過氣相法生產白炭黑的旋風分離裝置,分離效果差,影響分離系統的通氣能力,對尾氣處理不完全。在用CH3SiCl3作為原料,用現有的氣相法生產白炭黑的旋風分離裝置,分離效果差,影響分離系統的通氣能力,對尾氣處理不完全問題同樣存在。

發明內容

本實用新型的目的是提供一種利用甲基三氯硅烷生產氣相法白炭黑的旋風分離裝置。

本實用新型解決的是現有氣相法生產白炭黑產品分離效果差,影響分離系統的通氣能力,對尾氣處理不完全的問題。

本實用新型解決技術問題所采用的技術方案是:所述的旋風分離裝置有三級,分別為一級旋風分離裝置、二級旋風分離裝置和三級旋風分離裝置,一級旋風分離裝置上部出口與二級旋風分離裝置上部入口連接,二級旋風分離裝置上部出口與三級旋風分離裝置上部入口連接。

所述的一級旋風分離裝置為蝸殼式旋風裝置,包括物料進口、排氣管、導流擋板、導流管和灰斗,物料進口位于裝置上方,導流管位于裝置內部的中上部,其上端與排氣管相接,導流擋板水平位于導流管上,灰斗位于裝置下方。

所述的二級旋風分離裝置為雙筒式旋風裝置,包括內筒、粉塵擋板和灰斗,內筒位于裝置內中上部,粉塵擋板水平位于內筒上方,灰斗位于裝置下方。

所述的三級旋風分離裝置為雙筒式旋風裝置,包括內筒、粉塵擋板、灰斗和氣體出口,內筒位于裝置內中上部,粉塵擋板水平位于內筒上方,灰斗位于裝置下方,氣體出口位于裝置上方。

本實用新型的有益效果是:產品分離完全,產品回收率高和尾氣處理完全。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。

如圖所示,旋風分離裝置有三級,分別為一級旋風分離裝置1、二級旋風分離裝置2和三級旋風分離裝置3,一級旋風分離裝置1上部出口與二級旋風分離裝置2上部入口連接,二級旋風分離裝置2上部出口與三級旋風分離裝置3上部入口連接;一級旋風分離裝置1為蝸殼式旋風裝置,包括物料進口5、排氣管4、導流擋板7、導流管8和灰斗9,物料進口5位于裝置1上方,導流管8位于裝置1內部的中上部,其上端與排氣管4相接,導流擋板7水平位于導流管8上,灰斗9位于裝置1下方;二級旋風分離裝置2為雙筒式旋風裝置,包括內筒10、粉塵擋板11和灰斗9,內筒10位于裝置2內中上部,粉塵擋板11水平位于內筒10上方,灰斗9位于裝置2下方;三級旋風分離裝置3為雙筒式旋風裝置,包括內筒10、粉塵擋板11、灰斗9和氣體出口6,內筒10位于裝置3內中上部,粉塵擋板11水平位于內筒10上方,灰斗9位于裝置3下方,氣體出口6位于裝置3上方。

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