[實(shí)用新型]一種柔性硅基砷化鎵電池

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320523877.X
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN203481250U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉文峰;成文;姬常曉
• 申請（專利權(quán)）人: 湖南紅太陽光電科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/028;H01L31/0687
• 代理公司: 長沙正奇專利事務(wù)所有限責(zé)任公司 43113
• 代理人: 馬強(qiáng)

1.一種柔性硅基砷化鎵電池，包括襯底層（1），其特征是，在襯底層（1）上依次有Ge-Si緩沖層（2）、Ge電池層（3）、隧道結(jié)A層（4）、GaAs電池層（5）、隧道結(jié)B層（6）、GaInP電池層（7）、窗口層（8）、歐姆接觸層（9）和減反射膜層（10），且減反射膜層（10）上設(shè)有正面電極（11），襯底層（1）下表面設(shè)有背面電極（12）；所述襯底層（1）為厚度≤48微米的柔性硅襯底層；所述柔性硅基砷化鎵電池的總厚度≤50微米，單片面積≥80cm²。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述柔性硅基砷化鎵電池，其特征是，所述襯底層（1）的厚度為40微米-48微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述柔性硅基砷化鎵電池，其特征是，所述襯底層（1）為半導(dǎo)體級P型硅層。