[實用新型]局部分級深度材料光柵超慢太赫茲波導有效
| 申請號： | 201320523703.3 | 申請日： | 2013-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN203423242U | 公開（公告）日： | 2014-02-05 |
| 發明（設計）人： | 史偉;郭寶山;姚建銓 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | H01P3/12 | 分類號： | H01P3/12 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201 | 代理人： | 劉國威 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 局部 分級 深度 材料 光柵 超慢太 赫茲 波導 | ||
【權利要求書】：
1.一種局部分級深度材料光柵超慢太赫茲波導，其特征是，在局部分級深度材料表面刻寫有周期形式的凹槽，凹槽深度一部分固定不變，另一部分分級變化，具體為前半段太赫茲傳播起始階段為漸變深度，后半段凹槽深度固定不變。
2.如權利要求1所述的局部分級深度材料光柵超慢太赫茲波導，其特征是，凹槽深度和周期具體為：光柵周期為50μm，寬度為25μm，深度起始位置為30μm，以后按步長1～2μm逐漸加深。
3.如權利要求1所述的局部分級深度材料光柵超慢太赫茲波導，其特征是，局部分級深度材料為金屬或半導體材料。
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