[實用新型]一種轉接板的晶圓級硅孔結構

有效

• 申請號: 201320522291.1
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN203423166U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 張黎;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 彭英

1.一種轉接板的晶圓級硅孔結構，包括基體（110），所述基體（110）內設置硅孔，其特征在于：所述硅孔包括盲孔（111）和與盲孔（111）連接的基體底部開口（112），所述盲孔（111）呈倒梯形，所述基體底部開口（112）的開口尺寸不大于盲孔（111）底部的尺寸，所述盲孔（111）內沉積絕緣層Ⅰ（210）并于盲孔（111）的底部形成絕緣層Ⅰ開口（211），所述絕緣層Ⅰ（210）向上延伸并覆蓋基體（110）的上表面，所述絕緣層Ⅰ（210）的表面設置金屬層Ⅰ（310），所述金屬層Ⅰ（310）于盲孔（111）的底部相連接，

所述基體（110）的上方設置若干層金屬層Ⅲ（330），不同的所述金屬層Ⅲ（330）之間設置介電層（400）和介電層開口（401），不同的所述金屬層Ⅲ（330）通過介電層開口（401）連接，最底層的所述金屬層Ⅲ（330）與金屬層Ⅰ（310）連通，最頂層的所述金屬層Ⅲ（330）的周圍覆蓋保護層Ⅰ（510），所述保護層Ⅰ（510）于金屬層Ⅲ（330）的表面形成保護層Ⅰ開口（511），

所述基體底部開口（112）內沉積絕緣層Ⅱ（220）并形成絕緣層Ⅱ開口（221），所述絕緣層Ⅱ（220）與絕緣層Ⅰ（210）于盲孔（111）的底部相連接、且沿基體底部開口（112）向下延伸并覆蓋基體（110）的下表面，所述絕緣層Ⅱ（220）表面設置金屬層Ⅱ（320），所述金屬層Ⅱ（320）填充絕緣層Ⅱ開口（221）、并與金屬層Ⅰ（310）于盲孔（111）的底部通過絕緣層Ⅰ開口（211）實現電氣連通，所述金屬層Ⅱ（320）的表面設置保護層Ⅱ（520），并形成保護層Ⅱ開口（521）。

2.根據權利要求1所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：最底層的所述金屬層Ⅲ（330）與金屬層Ⅰ（310）一體成形。

3.根據權利要求1所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：所述金屬層Ⅰ（310）于盲孔（111）內形成金屬層盲孔（311），所述金屬層盲孔（311）內填充介電層（400）。

4.根據權利要求1所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：所述盲孔（111）的橫截面呈圓形、方形或多邊形。

5.根據權利要求1所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：所述基體底部開口（112）的橫截面呈圓形、方形或多邊形。

6.根據權利要求1或5所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：所述基體底部開口（112）的深度為L，L不大于30微米。

7.根據權利要求1所述的一種轉接板的晶圓級硅孔結構，其特征在于：所述保護層Ⅱ開口（521）內設置焊球或金屬凸點結構。