[實用新型]一種低諧波特性的磁控電抗器

有效

• 申請號: 201320519950.6
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN203415389U
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 劉金旭
• 申請（專利權）人: 中國船舶重工集團公司第七一二研究所
• 主分類號: H01F29/00
• 分類號: H01F29/00;H01F27/24;H01F27/30;H01F27/40;H02P13/00
• 代理公司: 武漢凌達知識產權事務所(特殊普通合伙) 42221
• 代理人: 宋國榮;趙宏

技術領域

本實用新型涉及一種磁控電抗器，尤其是涉及一種低諧波特性的磁控電抗器。

背景技術

在現有技術中，磁控電抗器由于在工作過程中鐵心飽和，輸出各種階次的諧波電流，其中主要諧波電流為5、7次。為了抑制諧波電流，本專利采用移相繞組的方法，降低磁控電抗器的諧波電流輸出。

發明內容

本實用新型的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：

一種低諧波特性的磁控電抗器，其特征在于，包括鐵心和繞制在鐵心上的繞組，所述鐵心包括上鐵軛、下鐵軛以及設置在上鐵軛和下鐵軛之間的六個鐵心柱；所述每個鐵心柱上有一個繞組，每個繞組分為四段，分別為繞組一段、繞組二段、繞組三段以及繞組四段；其中繞組一段和繞組四段匝數相等；繞組二段和繞組三段匝數相等；每相鄰兩個鐵心柱組成一相；每相的繞組二段和繞組三段交叉連接并抽頭一部分繞組連接外部勵磁電路；每相的繞組二段和繞組三段與鐵心柱上的繞組一段和繞組四段串聯連接。

在上述的一種低諧波特性的磁控電抗器，其每個鐵心柱上設有飽和段；該飽和段部分的鐵磁材料和絕緣材料交替疊壓，且飽和段有效鐵磁材料截面積小于鐵心柱截面積。

在上述的一種低諧波特性的磁控電抗器，每相的繞組二段和繞組三段與鐵心柱上的繞組一段和繞組四段串聯連接的具體方式是：繞組一段、繞組四段繞組的極向和繞組二段、繞組三段的極向相反；且：繞組二段和繞組三段與鐵心柱上的繞組一段和繞組四段交錯串聯連接，每相中包含的兩個鐵心柱的繞組二段和繞組三段與另外兩相中的任意的繞組一段、繞組四段串聯連接。

在上述的一種低諧波特性的磁控電抗器，所述外部勵磁電路包括可控硅晶閘管和二極管，其連接方式為：每相繞組二段和繞組三段繞組交叉連接，交叉點連接有續流二極管；繞組二段和繞組三段的繞組中間有抽頭，每個貼心柱的繞組二段和繞組三段的抽頭連接可控硅晶閘管，每相的兩個可控硅晶閘管極向相反。

因此，本實用新型具有如下優點：1、采用了繞組的交錯連接，使繞組移相，降低了諧波，提高了技術指標；2、由于諧波的降低，電抗器總體損耗、噪聲指標提高。

附圖說明

圖1為本實用新型低諧波磁控電抗器鐵心和繞組裝配示意圖；

圖2為本實用新型低諧波磁控電抗器繞組布置及極性示意圖；

圖3為本實用新型低諧波磁控電抗器的繞組連接原理圖，并構成一種實施例；

圖4為本實用新型低諧波磁控電抗器的另一種實施例。

圖中各標記的名稱為：1—鐵心；?2—繞組；?3—鐵心柱;?4—上鐵軛；5—下鐵軛；??6—飽和段；段1、段2、段3、段4—每柱上的第1、2、3、4段繞組；a11、a12、a13、a14、a21、a22、a23、a24—組成A相的兩個鐵心柱上的繞組；b11、b12、b13、b14、b21、b22、b23、b24—組成B相的兩個鐵心柱上的繞組；c11、c12、c13、c14、c21、c22、c23、c24—組成C相的兩個鐵心柱上的繞組；??TA1、TA2、TB1、TB2、TC1、TC2—各相上的可控硅晶閘管；DA、DB、DC—二極管。

具體實施方式

下面通過實施例，并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步具體的說明。首先描述一下本實用新型的具體結構：本實用新型包括鐵心3和繞制在鐵心3上的繞組，所述鐵心3包括上鐵軛（4）、下鐵軛5以及設置在上鐵軛4和下鐵軛5之間的六個鐵心柱3；所述每個鐵心柱3上有一個繞組，每個繞組分為四段，分別為繞組一段、繞組二段、繞組三段以及繞組四段；其中繞組一段和繞組四段匝數相等；繞組二段和繞組三段匝數相等；每相鄰兩個鐵心柱3組成一相；每相的繞組二段和繞組三段交叉連接并抽頭一部分繞組連接外部勵磁電路；每相的繞組二段和繞組三段與鐵心柱3上的繞組一段和繞組四段串聯連接。每個鐵心柱3上設有飽和段6；該飽和段6部分的鐵磁材料和絕緣材料交替疊壓，且飽和段6有效鐵磁材料截面積小于鐵心柱3截面積。

外部勵磁電路包括可控硅晶閘管和二極管，其連接方式為：每相繞組二段和繞組三段繞組交叉連接，交叉點連接有續流二極管；繞組二段和繞組三段的繞組中間有抽頭，每個鐵心柱3的繞組二段和繞組三段的抽頭連接可控硅晶閘管，每相的兩個可控硅晶閘管極向相反。