[實用新型]影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320519717.8 | 申請日： | 2013-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN203434141U | 公開（公告）日： | 2014-02-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王之奇;喻瓊;王蔚 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州晶方半導(dǎo)體科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/18 | 分類號： | H01L23/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 215021 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 影像 傳感器 晶圓級 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
待封裝晶圓，所述待封裝晶圓包括若干芯片區(qū)域和位于芯片區(qū)域之間的切割道區(qū)域；
位于待封裝晶圓第一表面且位于芯片區(qū)域內(nèi)的焊盤和影像傳感區(qū)；
位于所述焊盤表面和切割道區(qū)域表面的第一圍堤結(jié)構(gòu)；
與所述待封裝晶圓第一表面相對設(shè)置的封裝蓋，位于所述封裝蓋表面的第二圍堤結(jié)構(gòu)，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的位置對應(yīng)于切割道區(qū)域的位置，所述封裝蓋與待封裝晶圓通過第二圍堤結(jié)構(gòu)和第一圍堤結(jié)構(gòu)固定接合。
2.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的頂部表面與第一圍堤結(jié)構(gòu)的頂部表面直接鍵合或利用粘膠相粘結(jié)。
3.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于切割道區(qū)域的寬度。
4.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度小于或等于切割晶圓形成的切口的寬度。
5.如權(quán)利要求4所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的寬度大于50微米。
6.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)的寬度大于切割道區(qū)域的寬度。
7.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)的中心線與切割道區(qū)域的中心線重疊。
8.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)完全覆蓋焊盤表面且間隔設(shè)置。
9.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)完全覆蓋焊盤表面、切割道區(qū)域表面、焊盤與切割道區(qū)域之間的芯片區(qū)域表面。
10.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一圍堤結(jié)構(gòu)、第二圍堤結(jié)構(gòu)的材料為光刻膠或樹脂。
11.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二圍堤結(jié)構(gòu)與封裝蓋為一體結(jié)構(gòu)。
12.如權(quán)利要求1所述的影像傳感器的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝蓋的材料為玻璃、有機(jī)玻璃或硅基底。
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