[實用新型]半導體器件和互補金屬氧化物半導體半導體器件

有效

• 申請號: 201320516861.6
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN203721725U
• 公開（公告）日: 2014-07-16
• 發明（設計）人: 柳青;P·卡雷;N·勞貝特
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L29/417
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

技術領域

本實用新型涉及半導體器件領域，并且更具體地涉及一種在接觸與源極/漏極區域之間的接觸電阻減少的半導體器件。?

背景技術

諸如半導體集成電路(IC)之類的半導體器件包括許多半導體器件結構。示例半導體器件結構是包括P溝道和N溝道MOS晶體管二者的互連的互補金屬氧化物半導體(CMOS)晶體管。在各種器件結構之間的互連由在器件結構之間形成層間連接的金屬化的接觸實現。?

正在設計包括CMOS晶體管的半導體器件結構以具有越來越小的特征尺寸(例如柵極結構)?；谶@一趨勢，隨著柵極節距變得更小，將晶體管的源極/漏極區域與金屬化的接觸連接的接觸也變得更小。隨著接觸尺寸減少，有接觸電阻增加。取決于接觸面積和片電阻率的接觸電阻正在變成器件性能進一步提高的限制因素。?

在第8,101,489號美國專利中公開一種用于減少接觸電阻的方式。提供具有摻雜區域的半導體襯底。在摻雜區域之上執行預非晶注入工藝和中性(或者非中性)物種注入工藝。隨后在摻雜區域中形成硅化物。通過進行與中性物種注入組合的預非晶注入來減少在硅化物接觸區域與源極/漏極襯底界面之間的接觸電阻。?

在第8,134,208號美國專利中公開另一種用于減少接觸電阻的方式。半導體器件包括半導體器件結構和接觸，并且該接觸在半導體器件結構的表面部分和側壁部分二者電和物理耦合到半導體器件。?

盡管上述方式可以在減少接觸電阻時有效，但是可能希望進一?步改進。?

實用新型內容

鑒于前述背景技術，因此本實用新型的目的在于提供一種容易制造的具有減少的接觸電阻的半導體器件。?

根據本實用新型的這一和其它目的、特征及優點由一種半導體器件實現，該半導體器件包括：半導體襯底，具有在所述半導體襯底中的溝道區域；在所述溝道區域以上的柵極結構；在所述柵極結構的相對側上的源極區域和漏極區域；在所述源極區域和所述漏極區域中的每個區域上的相應接觸；所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個區域具有相對于所述相應接觸的傾斜的上接觸表面。?

優選地，所述傾斜的上接觸表面背離所述柵極結構向下傾斜。?

優選地，所述傾斜的上接觸表面以30-45度的范圍內的角度傾斜。?

優選地，所述源極區域和所述漏極區域包括相應凸起的源極區域和漏極區域。?

優選地，所述傾斜的上接觸表面具有比對應平坦接觸表面將有的面積大至少50％的面積。?

優選地，所述柵極結構包括柵極堆疊和在所述柵極堆疊的相對側上的至少一個側壁間隔物。?

優選地，所述柵極堆疊包括與所述溝道區域相鄰的電介質層和在所述電介質層上的傳導層。?

根據本實用新型的另一實施例，提供一種互補金屬氧化物半導體半導體器件，包括：半導體襯底，具有在所述半導體襯底中的p溝道區域和n溝道區域；在所述p溝道區域和所述n溝道區域以上的相應柵極結構；在每個柵極結構的相對側上的相應源極區域和漏極區域；以及在所述源極區域和所述漏極區域中的每個區域上的相應接觸；所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個區域具有相對于所述相應接觸的傾斜的上接觸表面，而所述傾斜的上接觸表面以?以30-45度的范圍內的角度背離所述柵極結構向下傾斜。?

優選地，所述相應源極區域和漏極區域包括相應凸起的源極區域和漏極區域。?

優選地，所述傾斜的上接觸表面具有比對應平坦接觸表面將有的面積大至少50％的面積。?

優選地，每個柵極結構包括柵極堆疊和在所述柵極堆疊的相對側上的至少一個側壁間隔物。?

優選地，每個柵極堆疊包括與所述溝道區域相鄰的電介質層和在所述電介質層上的傳導層。?

通過使用根據本實用新型的實施例可以至少獲得部分的對應有益效果。?

附圖說明

圖1是根據本實用新型的具有傾斜接觸的半導體器件的截面圖。?

圖2-圖4是圖1中所示半導體器件的部分的截面圖，這些圖圖示用于制作該半導體器件的工藝步驟。?

圖5是圖示根據本實用新型的用于制作半導體器件的方法的流程圖。?

具體實施方式

現在下文將參照附圖更完全描述本實用新型，在附圖中示出本實用新型的優選實施例。然而本實用新型可以用許多不同形式來體現而不應解釋為限于這里闡述的實施例。實際上，提供這些實施例使得本公開內容將透徹而完整并且將向本領域技術人員完全傳達本實用新型的范圍。相似標號全篇指代相似單元。?