[實用新型]氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320516839.1
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN203423181U
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張錫明
• 申請（專利權(quán)）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L23/50;H01L29/417;H01L29/786
• 代理公司: 上海漢聲知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型是有關(guān)于一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板。

背景技術(shù)

液晶顯示面板包含薄膜晶體管基板、彩色濾光片基板及位于薄膜晶體管基板與彩色濾光片基板之間的液晶分子層。薄膜晶體管基板上配置多個薄膜晶體管，每一薄膜晶體管包含柵極、柵介電層、半導(dǎo)體層、源極及漏極。半導(dǎo)體層的材料例如可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機半導(dǎo)體、氧化物半導(dǎo)體或其他合適的材料。

相較于非晶硅薄膜晶體管，氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管具有較高的載子遷移率(Mobility)，而擁有較佳的電性表現(xiàn)。然而在形成氧化物半導(dǎo)體層時，容易使與氧化物半導(dǎo)體層相互接觸的金屬層的表面發(fā)生氧化。舉例而言，在形成氧化物半導(dǎo)體層于源極和漏極上的情況下，與氧化物半導(dǎo)體層相互接觸的源極和漏極的表面容易發(fā)生氧化，導(dǎo)致氧化物半導(dǎo)體層與源極和漏極之間的接觸阻抗升高，進(jìn)而影響氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管的電性表現(xiàn)。有鑒于此，目前亟需一種改良的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板，以解決上述問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的一態(tài)樣提供一種氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板，其能夠于形成氧化物半導(dǎo)體層時，有效避免源極及漏極發(fā)生氧化現(xiàn)象。此氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板包含基板、源極及漏極、圖案化透明導(dǎo)電層、氧化物半導(dǎo)體層、柵極及柵介電層。源極及漏極位于基板上。圖案化透明導(dǎo)電層包含第一透明電極、第二透明電極及像素電極，第一及第二透明電極分別覆蓋源極的上表面及漏極的上表面，像素電極連接漏極。氧化物半導(dǎo)體層接觸第一及第二透明電極。柵介電層夾設(shè)于氧化物半導(dǎo)體層與柵極之間。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第一透明電極的內(nèi)側(cè)邊緣與源極的內(nèi)側(cè)邊緣實質(zhì)上對齊。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第一透明電極的上視輪廓與源極的上視輪廓不同。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第一透明電極更覆蓋源極的內(nèi)側(cè)邊緣，氧化物半導(dǎo)體層未與源極接觸。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第二透明電極的內(nèi)側(cè)邊緣與漏極的內(nèi)側(cè)邊緣實質(zhì)上對齊。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第二透明電極的上視輪廓與漏極的上視輪廓不同。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第二透明電極更覆蓋漏極的內(nèi)側(cè)邊緣，氧化物半導(dǎo)體層未與漏極接觸。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，氧化物半導(dǎo)體層未與第一及第二透明電極的任何邊緣對齊。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，第二透明電極連接像素電極。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，柵介電層位于源極及漏極的下方，像素電極覆蓋并接觸柵介電層。

根據(jù)本實用新型的一實施方式，柵介電層位于源極及漏極的上方，像素電極覆蓋并接觸基板。

附圖說明

圖1A-1B、圖2A-2B、圖3A-3B、圖4A-4B是顯示依照本實用新型一實施方式的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板的各制程階段的上視與剖面示意圖；

????圖5A-5B是顯示依照本實用新型另一實施方式的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板的上視與剖面示意圖；

????圖6是顯示依照本實用新型又一實施方式的氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管基板的剖面示意圖。

【主要組件符號說明】

110基板

120柵介電層

130保護(hù)層

400、500底柵型薄膜晶體管基板

600頂柵型薄膜晶體管基板

A-A'線段

D漏極

DL數(shù)據(jù)線

G柵極

I1第一透明電極的內(nèi)側(cè)邊緣

I2源極的內(nèi)側(cè)邊緣

I3第二透明電極的內(nèi)側(cè)邊緣

I4漏極的內(nèi)側(cè)邊緣

PE像素電極

S源極

SE氧化物半導(dǎo)體層

SL掃描線

T圖案化透明導(dǎo)電層

T1第一透明電極

T2第二透明電極

Tp圖案化透明導(dǎo)電層的一部分。

具體實施方式

以下將以圖式公開本實用新型的復(fù)數(shù)個實施方式，為明確說明起見，許多實務(wù)上的細(xì)節(jié)將在以下敘述中一并說明。然而，應(yīng)了解到，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)不應(yīng)用以限制本實用新型。也就是說，在本實用新型部分實施方式中，這些實務(wù)上的細(xì)節(jié)是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些公知慣用的結(jié)構(gòu)與組件在圖式中將以簡單示意的方式繪示的。