[實用新型]硅平面二極管陣列有效
| 申請號： | 201320515408.3 | 申請日： | 2013-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN203445116U | 公開（公告）日： | 2014-02-19 |
| 發明（設計）人： | 吳炳剛 | 申請（專利權）人： | 沈陽飛達電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/075 | 分類號： | H01L25/075;H01L33/44;H01L33/52;H01L27/102 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 110032 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 平面二極管 陣列 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅平面二極管陣列，其特征在于，包括
基板和二極管陣列，將二極管陣列塑封在金屬陶瓷管內通過粘結層將二極管陣列粘接在基板上。
2.根據權利要求1所述硅平面二極管陣列，其特征在于，基板為硅平面基板。
3.根據權利要求1所述的硅平面二極管陣列，其特征在于，硅平面二極管陣列還包括導電層，導電層位于粘接層的上面。
4.根據權利要求1所述的硅平面二極管陣列，其特征在于，硅平面二極管陣列還包括涂層。
5.根據權利要求1所述的硅平面二極管陣列，其特征在于，二級管陣列為8個二極管組成。
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