[實用新型]一種硅光電二極管有效

申請號：	201320511500.2	申請日：	2013-08-20
公開（公告）號：	CN203406311U	公開（公告）日：	2014-01-22
發明（設計）人：	崔峰敏	申請（專利權）人：	傲迪特半導體（南京）有限公司
主分類號：	H01L31/103	分類號：	H01L31/103;H01L31/0352
代理公司：	江蘇致邦律師事務所 32230	代理人：	樊文紅
地址：	210034 江蘇***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種光電二極管
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【權利要求書】：

1.一種硅光電二極管，低摻雜的正方體N型硅晶片上設有高摻雜的P型硅層，形成P⁺N結，所述高摻雜的P型硅層為圓角長方體，所述低摻雜的正方體N型硅晶片的外周設有高摻雜的N型硅環，高摻雜的N型硅環和高摻雜的P型硅層之間隔著低摻雜的N型硅層，其特征是，所述高摻雜的P型硅層厚度為200±5μm?，P型硅層上表面設有氮化硅膜，在P型硅層中心部位的氮化硅膜上開有圓形接觸孔，接觸孔內貼附有金屬AL作為陽極，N型硅晶片的背面積淀金屬Au膜作為陰極；所述低摻雜的正方體N型硅晶片邊長為0.61mm，厚度為275-285μm，電阻率為1200-4000Ω·cm。

2.根據權利要求1所述的硅光電二極管，其特征是，所述金屬AL的厚度為2?，所述金屬Au膜的厚度為0.1?。

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