[實(shí)用新型]陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320502762.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203386754U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李月;董學(xué);薛海林;陳小川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;陳源

1.一種陣列基板，包括：襯底基板和形成于所述襯底基板上的像素區(qū)和周邊區(qū)，所述周邊區(qū)位于所述像素區(qū)的周邊，其特征在于，所述像素區(qū)包括：非晶硅薄膜晶體管，所述周邊區(qū)包括：低溫多晶硅結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述非晶硅薄膜晶體管包括底柵型非晶硅薄膜晶體管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅結(jié)構(gòu)包括低溫多晶硅薄膜晶體管。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括頂柵型低溫多晶硅薄膜晶體管。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板上形成有緩沖層，所述緩沖層位于所述像素區(qū)和所述周邊區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述非晶硅薄膜晶體管包括非晶硅有源層圖形，所述低溫多晶硅薄膜晶體管包括低溫多晶硅有源層圖形，所述非晶硅有源層圖形和所述低溫多晶硅有源層圖形同層設(shè)置。

7.一種顯示裝置，其特征在于，包括：上述權(quán)利要求1至6任一所述的陣列基板。