[實用新型]一種高光效氮化鎵基發光二極管芯片

有效

• 申請號: 201320492883.3
• 申請日: 2013-08-14
• 公開（公告）號: CN203367349U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 張向飛;劉堅
• 申請（專利權）人: 淮安澳洋順昌光電技術有限公司
• 主分類號: H01L33/44
• 分類號: H01L33/44;H01L33/32
• 代理公司: 淮安市科文知識產權事務所 32223
• 代理人: 謝觀素

技術領域

本實用新型涉及LED芯片技術領域，具體涉及一種高光效氮化鎵基發光二極管芯片。

背景技術

當前全球能源短缺的憂慮再度升高的背景下，節約能源是我們未來面臨的重要的問題，在照明領域，LED發光產品的應用正吸引著世人的目光，LED作為一種新型的綠色光源產品，必然是未來發展的趨勢，二十一世紀將進入以LED為代表的新型照明光源時代。LED球泡燈具與白熾燈比較，其最大的發展動力就是節能環保的優勢。前LED行業的快速發展，已經使得部分LED照明產品價格低于白熾燈或等同的水平，使得普通百姓家都可以接受，而且亮度也優于白熾燈泡，LED（LightingEmittingDiode）照明即是發光二極管照明，是一種半導體固體發光器件，它是利用固體半導體芯片作為發光材料，在半導體中通過載流子發生復合放出過剩的能量而引起光子發射，直接發出紅、黃、藍、綠色的光，在此基礎上，利用三基色原理，添加熒光粉，可以發出紅、黃、藍、綠、青、橙、紫、白色等任意顏色的光。

LED芯片作為LED照明的主要部件，在生產過程中，芯片N型GaN層、P型GaN層外圍通常包覆二氧化硅保護層，防止電流擴散，改善發光效率。

發明內容

本實用新型要解決的技術問題是提供一種高光效氮化鎵基發光二極管芯片，該技術方案有效解決傳統氮化鎵基發光二極管芯片的二氧化硅保護層厚度設置不合理，從而導致發光二極管的發光效率差的問題。

本實用新型通過以下技術方案實現：

一種高光效氮化鎵基發光二極管芯片，包括藍寶石襯底層（1）、N型GaN層（2）、MQW發光層（3）、P型GaN層（4）、二氧化硅保護層（5）、P電極（6）以及N電極（7），P型GaN層（4）與P電極（6）之間設置有ITO透明導電薄膜（8），其特征在于：所述二氧化硅保護層（5）的厚度為0.07μm。

本實用新型與現有技術相比，具有以下明顯優點：本實用新型將傳統發光二極管芯片的二氧化硅保護層厚度由傳統的0.1μm或為0.2μm變成0.07μm，通過減薄二氧化硅保護層的厚度，減少電流擴散，從而提高發光效率。

附圖說明

圖1為本實用新型的結構示意圖。

具體實施方式

如圖1所示，本實用新型包括藍寶石襯底層1、N型GaN層2、MQW發光層3、P型GaN層4、二氧化硅保護層5、P電極6以及N電極7，P型GaN層4與P電極6之間設置有ITO透明導電薄膜8，所述二氧化硅保護層5的厚度為0.07μm。

本實用新型未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現。