[實用新型]應用于主從設備的通信裝置

有效

• 申請號: 201320492553.4
• 申請日: 2013-08-13
• 公開（公告）號: CN203376749U
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 羅衛平
• 申請（專利權）人: 杭州威力克通信系統有限公司
• 主分類號: G06F13/40
• 分類號: G06F13/40
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

1.一種應用于主從設備的通信裝置，其特征在于，包括：一個主設備、編號1至M的M個從設備和編號1至2M的2M個N溝道金屬氧化物半導體場效應管MOSFET；

針對第i從設備，1≤i≤M：

第2i-1個N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設備的串行時鐘線SCL接口和電阻R1的一端相連，第二端與所述第i從設備的SCL接口相連，第三端與所述主設備的第i使能控制接口相連；

第2i個N溝道MOSFET的第一端分別與所述主設備的串行數據線SDA接口和電阻R2的一端相連，第二端與所述第i從設備的SDA接口相連，第三端與所述主設備的第i使能控制接口相連；

所述電阻R1和電阻R2的另一端均與第一直流電源相連；

其中，所述M、i均為自然數，所述SCL接口和SDA接口均屬于兩線式串行接口TWI，且所述第一直流電源為所述主設備的工作電源。

2.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，還包括編號1至M的M個電阻R3;

針對第i個電阻R3,1≤i≤M:

所述第i個電阻R3的一端與所述第i使能控制接口、第2i-1個N溝道MOSFET的第三端和第2i個N溝道MOSFET的第三端的公共端相連，另一端接地。

3.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述N溝道MOSFET的第一端為漏極、第二端為源極、第三端為柵極。

4.根據權利要求3所述的裝置，其特征在于，還包括：編號1至M的M個電阻R4和編號1至M的M個電阻R5；

針對第i個電阻R4，1≤i≤M：

所述第i個電阻R4的一端分別與所述第i從設備的SCL接口和所述第2i-1個N溝道MOSFET的源極相連，另一端與第二直流電源相連；

針對第i個電阻R5，1≤i≤M：

所述第i個電阻R5的一端分別與所述第i從設備的SDA接口和所述第2i個N溝道MOSFET的源極相連，另一端與所述第二直流電源相連；

其中，所述第二直流電源為第i從設備的工作電源。

5.根據權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述N溝道MOSFET的第一端為源極、第二端為漏極、第三端為柵極。

6.根據權利要求5所述的裝置，其特征在于，還包括：編號1至M的M個電阻R4和編號1至M的M個電阻R5；

針對第i個電阻R4，1≤i≤M：

所述第i個電阻R4的一端分別與所述第i個從設備的SCL接口和所述第2i-1個N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與第二直流電源相連；

針對第i個電阻R5,1≤i≤M:

所述第i個電阻R5的一端分別與所述第i個從設備的SDA接口和所述第2i個N溝道MOSFET的漏極相連，另一端與所述第二直流電源相連;

其中，所述第二直流電源為第i從設備的工作電源。

7.根據權利要求3或5所述的裝置，其特征在于，還包括：編號1至2M的2M個二極管；

針對第P個二極管，P為自然數，且1≤P≤2M:

第P個二極管的陽極與第P個N溝道MOSFET的源極相連、陰極與所述第P個N溝道MOSFET的漏極相連。