[實用新型]化合物的高溫合成爐系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320488396.X
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN203534167U
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 邱萍;茅陸榮;陳瑜
• 申請（專利權(quán)）人: 上海森松壓力容器有限公司
• 主分類號: F27B14/04
• 分類號: F27B14/04;B01J3/00
• 代理公司: 上海百一領(lǐng)御專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31243
• 代理人: 馬育麟

1.一種化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于，包括：?

底盤；所述底盤上設(shè)有一對加熱用電極；所述底盤上設(shè)有進氣口和排氣口；?

鐘罩，設(shè)置于所述底盤之上；?

由所述鐘罩、底盤所構(gòu)成的反應器內(nèi)部設(shè)置反應用裝盛容器，即坩堝；所述坩堝外?

部設(shè)置加熱器，所述加熱器與電極相連接；?

所述加熱器外部一周及頂部設(shè)有保溫屏。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述鐘罩為雙層結(jié)構(gòu)，雙層結(jié)構(gòu)之間填充冷卻介質(zhì)，所述鐘罩外側(cè)設(shè)有冷卻介質(zhì)進口和出口。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述底盤為雙層結(jié)構(gòu)，雙層結(jié)構(gòu)之間填充冷卻介質(zhì)；所述底盤上設(shè)有冷卻介質(zhì)進口和出口。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述底盤中心開有傳動軸孔，傳動軸穿過傳動軸孔與坩堝底部相連，所述傳動軸底部與傳動機構(gòu)相連。?

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述鐘罩雙層結(jié)構(gòu)之間有螺旋狀導流板。?

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述坩堝為雙層結(jié)構(gòu)，所述坩堝內(nèi)層的頂部設(shè)有坩堝蓋。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述坩堝的外層材料為鎢鉬、高純石墨或者耐高溫材料。?

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述加熱器的材料為鎢鉬材料或者高純石墨。?

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述排氣口與真空系統(tǒng)相連。?

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述保溫屏材料為鎢鉬、高純石墨或者耐高溫材料。?

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述保溫屏由一層及以上層數(shù)構(gòu)成。?

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化合物高溫合成爐系統(tǒng)，其特征在于：所述保溫屏開有通氣小孔，直徑為Φ5～10mm，沿環(huán)向保溫屏下端均勻分布，間隔弧長為20～40mm，距保溫屏底端高度為30～60mm。?