[實(shí)用新型]一種可實(shí)現(xiàn)PS狀態(tài)切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320486855.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-09 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203397272U | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅嗣恒;孔財(cái) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 浪潮電子信息產(chǎn)業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G06F1/16 | 分類號(hào): | G06F1/16;G06F11/22 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 250101 山東*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 實(shí)現(xiàn) ps 狀態(tài) 切換 測(cè)試 內(nèi)存 負(fù)載 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及計(jì)算機(jī)配件領(lǐng)域,具體涉及一種內(nèi)存負(fù)載卡。
背景技術(shù)
如圖1所示,通常內(nèi)存負(fù)載卡上包含有:信號(hào)預(yù)處理單元2、信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元3、MOS管4;通過調(diào)節(jié)外置的信號(hào)發(fā)生器1輸出信號(hào)的相關(guān)參數(shù)(比如:信號(hào)的占空比、頻率、電平高低)來調(diào)節(jié)MOS管上的負(fù)載電流的大小;但是常用負(fù)載卡不能模擬PS切換的測(cè)試。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種能模擬PS切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡。
本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種可實(shí)現(xiàn)PS狀態(tài)切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡,包括信號(hào)預(yù)處理單元,信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元,MOS管,其特征在于:還包括FPGA單元、ADC單元和負(fù)載電流偵測(cè)單元,所述FPGA單元位于負(fù)載卡內(nèi)的信號(hào)預(yù)處理單元和信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元之間,負(fù)載電流偵測(cè)單元包括負(fù)載電流檢測(cè)信號(hào)線和電流偵測(cè)電阻,通過電流偵測(cè)電阻偵測(cè)每個(gè)MOS管流過DS極的電流,偵測(cè)的電流信號(hào)經(jīng)過負(fù)載電流檢測(cè)信號(hào)線,通過ADC單元轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并通過I2C總線將電流信號(hào)傳送至FPGA單元,F(xiàn)PGA單元接收到偵測(cè)的電流信號(hào)后,進(jìn)行比較判斷,做相應(yīng)的PS切換控制。
在FPGA單元中,通過編程來控制流過MOS管的電流,實(shí)現(xiàn)負(fù)載卡負(fù)載端PS狀態(tài)的切換。
所述電流偵測(cè)電阻為精密電阻。
本實(shí)用新型的有益效果:改進(jìn)后的負(fù)載卡,可以通過修改FPGA代碼來定義負(fù)載卡的PS狀態(tài),從而模擬內(nèi)存PS切換時(shí)的工作狀態(tài)。
附圖說明
圖1虛線框中所示為一般內(nèi)存負(fù)載卡的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2虛線框中所示為可實(shí)現(xiàn)PS狀態(tài)切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡的結(jié)構(gòu)示意圖;
附圖標(biāo)記說明:1、信號(hào)發(fā)生器,2、信號(hào)預(yù)處理單元,3、信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元,4、MOS管,5、FPGA單元,6、ADC單元,7、負(fù)載電流檢測(cè)信號(hào)線,8、電流偵測(cè)電阻,9、I2C總線。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型的一種可實(shí)現(xiàn)PS狀態(tài)切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡做進(jìn)一步說明。
如圖2所示,一種可實(shí)現(xiàn)PS狀態(tài)切換測(cè)試的內(nèi)存負(fù)載卡,包括信號(hào)預(yù)處理單元2,信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元3,MOS管4,其特征在于:還包括FPGA單元5、ADC單元6和負(fù)載電流偵測(cè)單元,所述FPGA單元5位于負(fù)載卡內(nèi)的信號(hào)預(yù)處理單元2和信號(hào)驅(qū)動(dòng)單元3之間,負(fù)載電流偵測(cè)單元包括負(fù)載電流檢測(cè)信號(hào)線7和電流偵測(cè)電阻8,通過電流偵測(cè)電阻8偵測(cè)每個(gè)MOS管4流過DS極的電流,偵測(cè)的電流信號(hào)經(jīng)過負(fù)載電流檢測(cè)信號(hào)線7,通過ADC單元6轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào),并通過I2C總線9將電流信號(hào)傳送至FPGA單元5,F(xiàn)PGA單元5接收到偵測(cè)的電流信號(hào)后,進(jìn)行比較判斷,做相應(yīng)的PS切換控制。
在FPGA單元5中,通過編程來控制流過MOS管4的電流,實(shí)現(xiàn)負(fù)載卡負(fù)載端PS狀態(tài)的切換(比如:一般負(fù)載電流為0~5A時(shí),定義負(fù)載卡工作在PS2狀態(tài);負(fù)載電流為:5~20A時(shí),負(fù)載卡工作在PS1狀態(tài);負(fù)載電流為:20A以上時(shí),負(fù)載卡工作在PS0狀態(tài))。
所述電流偵測(cè)電阻為精密電阻。
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