[實用新型]移位寄存器單元、移位寄存器與顯示裝置

有效

• 申請號: 201320486801.4
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN203366700U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 譚文;祁小敬
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G11C19/28
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;安利霞

技術領域

本實用新型涉及顯示領域，尤其涉及一種移位寄存器單元、移位寄存器與顯示裝置。

背景技術

氧化物薄膜晶體管（氧化物TFT）是大尺寸有源矩陣有機發光二極管（AMOLED）顯示器/液晶顯示器（LCD）的發展方向，因此在現有GOA（Gate?On?Array，陣列基板上制作柵極驅動）中，被廣泛采用。

氧化物TFT特性之一是具有耗盡型的特點，即氧化物TFT的閾值電壓為負，這導致現有GOA實現上一直存在漏電流的問題。

在如附圖1所示的現有GOA典型電路中，在預充電階段，由于T4存在較大漏電情況，因此導致對T11柵極的充電效果變差；在上拉階段，由于T12、T13和T14的柵極電平最低只能到VGL，而T12、T13和T14的源極也為VGL，則T12、T13和T14的柵源電壓Vgs最小為0，由于氧化物TFT的閾值電壓小于0，因此T12，T13和T14仍處于微導通狀態，具有較大的漏電電流，造成T11的柵極和源極都趨向VGL漏電而影響GOA電路的正常上拉和輸出，而在下拉階段，由于T12、T14無法正常關斷,也會造成在下拉波形的畸變，影響下拉效果，從而影響GOA電路的可靠性和功耗。

實用新型內容

本實用新型提供一種移位寄存器單元、移位寄存器與顯示裝置，從而可以解決GOA電路的漏電過大問題，有效解決了采用氧化物薄膜晶體管的GOA電路的可靠性和功耗問題。

本實用新型提供方案如下：

本實用新型實施例提供了一種移位寄存器單元，包括第一電容、上拉模塊、預充電模塊和下拉模塊，所述第一電容的第一端與所述上拉模塊連接于上拉節點，還包括：

關斷模塊，與所述上拉節點連接，并與處于預充電模塊和下拉模塊之間的第一節點連接，用于在上拉階段斷開所述上拉節點與所述預充電模塊和下拉模塊的電連接。

優選的，所述關斷模塊包括：

第一薄膜晶體管，第一薄膜晶體管的源極與所述第一節點連接，第一薄膜晶體管的柵極與第二時鐘信號輸入端連接，第一薄膜晶體管的漏極與所述上拉節點連接；

關斷控制單元，用于在上拉階段，通過控制所述第一薄膜晶體管的源極電壓使得所述第一薄膜晶體管處于完全截止狀態，以斷開所述上拉節點與所述預充電模塊和下拉模塊的電連接。

優選的，所述關斷控制單元包括：

反饋電容，所述反饋電容的第一端與所述第一薄膜晶體管的源極連接，反饋電容的第二端，與所述上拉模塊和所述下拉模塊連接。

優選的，所述關斷控制單元還包括：

第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的源極與所述上拉模塊和所述下拉模塊連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一時鐘信號輸入端連接，第二薄膜晶體管的漏極與所述第一薄膜晶體管的源極連接。

優選的，所述關斷控制單元還包括：

第二薄膜晶體管，第二薄膜晶體管的源極與所述上拉模塊和所述下拉模塊連接，第二薄膜晶體管的柵極與第二薄膜晶體管的源極連接，第二薄膜晶體管的漏極與所述第一薄膜晶體管的源極連接。

優選的，所述關斷模塊包括：

第一薄膜晶體管、第二薄膜晶體管以及第三薄膜晶體管；

第一薄膜晶體管的源極與第二薄膜晶體管的漏極、第三薄膜晶體管的漏極連接，第一薄膜晶體管的柵極與第二時鐘信號輸入端連接，第一薄膜晶體管的漏極與所述上拉節點連接；

第二薄膜晶體管的源極與所述上拉模塊和所述下拉模塊連接，第二薄膜晶體管的柵極與第一時鐘信號輸入端連接；

第三薄膜晶體管的源極與所述第一節點連接，第三薄膜晶體管的柵極與所述第二時鐘信號輸入端連接。

優選的，所述上拉模塊包括：

第四薄膜晶體管，第四薄膜晶體管的源極與第一時鐘信號輸入端連接，第四薄膜晶體管的柵極與所述上拉節點連接，第四薄膜晶體管的漏極與第一電容的第二端、下拉模塊以及信號輸出端連接。

優選的，所述上拉模塊包括：

第四薄膜晶體管和第五薄膜晶體管；

第四薄膜晶體管的源極和第五薄膜晶體管的源極與第一時鐘信號輸入端連接；

第四薄膜晶體管的柵極和第五薄膜晶體管的柵極與所述上拉節點連接；

第四薄膜晶體管的漏極，與柵極信號輸出端、第一電容的第二端以及下拉模塊連接；

第五薄膜晶體管的漏極，與關斷模塊、下拉模塊以及起始信號輸出端連接。

優選的，所述預充電模塊包括：

第六薄膜晶體管；