[實用新型]半導體芯片封裝模組及其封裝結構

有效

• 申請號: 201320485888.3
• 申請日: 2013-08-09
• 公開（公告）號: CN203367268U
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 王之奇;喻瓊;王蔚
• 申請（專利權）人: 蘇州晶方半導體科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 楊林潔

技術領域

本實用新型屬于半導體制造領域，尤其涉及一種半導體芯片封裝模組及其封裝結構。

背景技術

隨著電子產業的迅速發展,市場對電子產品的尺寸要求越來越趨于輕、小、薄化；相應地，對電子產品中的半導體芯片封裝提出了更高的要求。

目前現有技術中，通常是采用引線鍵合（Wire?Bonding）方式對半導體芯片進行封裝（如圖1所示），現有的晶圓級封裝結構包括：芯片10、基板20，其中，芯片10粘合在基板20的上表面，并通過金線30與基板20電性連接，基板20下表面設有錫球40。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種減小封裝體積的半導體芯片封裝模組及其封裝結構。

其中，本實用新型一實施方式的半導體芯片封裝結構，包括：半導體芯片，所述芯片一表面設有第一電連接件和與所述第一電連接件相應的功能區；

基板，其包括上表面及與上表面相背的下表面；

所述封裝結構還包括：

金屬凸塊，電性連接所述第一電連接件和所述基板下表面的導電層；?

第二電連接件，電性連接所述基板下表面的導電層，其厚度大于所述半導體芯片和所述金屬凸塊的厚度之和。

作為本實用新型的進一步改進，所述基板上設有通孔，所述通孔的位置與所述功能區對應。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二電連接件的厚度與所述半導體芯片和所述金屬凸塊的厚度之和的差值大于等于100微米。

作為本實用新型的進一步改進，所述金屬凸塊的材質為金。?

相應地，本實用新型一實施方式的半導體封裝模組，包括一半導體芯片封裝結構、與所述半導體芯片封裝結構配合的透鏡及支架，所述半導體芯片封裝結構包括：

半導體芯片，所述芯片一表面設有第一電連接件和與所述第一電連接件相應的功能區；

基板，其包括上表面及與上表面相背的下表面，所述基板上設有通孔，所述通孔的位置與所述功能區對應；所述封裝結構還包括：

金屬凸塊，電性連接所述第一電連接件和所述基板下表面的導電層；?

第二電連接件，電性連接所述基板下表面的導電層，其厚度大于所述半導體芯片和所述金屬凸塊的厚度之和。

作為本實用新型的進一步改進，所述透鏡的焦距等于透鏡中心到基板上表面的距離、基板的厚度、基板下表面到功能區中心的距離之和。

作為本實用新型的進一步改進，所述第二電連接件的厚度與所述半導體芯片和所述金屬凸塊的厚度之和的差值大于等于100微米。

與現有技術相比，本實用新型可通過較為簡單的工藝，有效減小封裝體積，滿足市場對電子產品的尺寸的輕、小、薄化需求。

附圖說明

圖1是背景技術中半導體芯片的封裝結構剖面示意圖。

圖2是本實用新型一實施方式中半導體芯片封裝結構剖面示意圖。

圖3是本實用新型一實施方式中半導體封裝模組結構剖面示意圖。

圖4是本實用新型一實施方式中半導體模組封裝方法步驟流程圖。

具體實施方式

以下將結合附圖所示的具體實施方式對本實用新型進行詳細描述。但這些實施方式并不限制本實用新型，本領域的普通技術人員根據這些實施方式所做出的結構、方法、或功能上的變換均包含在本實用新型的保護范圍內。

如圖2所示，在本實用新型一實施方式中，所述半導體芯片封裝結構包括半導體芯片10、基板20、金屬凸塊30，以及第二電連接件40。

其中，所述芯片10一表面設有至少一個第一電連接件101，例如：焊墊；以及與所述第一電連接件101相應的功能區102，例如：影像傳感區。所述第一電連接件101和所述功能區102電性連接。優選地，在本實施方式中，設有第一電連接件101和功能區102的表面稱之為芯片10的上表面，與之相背的表面稱之為芯片10的下表面。

所述基板20，其材質可為硅、玻璃、陶瓷等材料。所述基板20具有上表面及與上表面相背的下表面。優選地，所述基板20的下表面上設有導電層201。

所述至少一個第二電連接件40，例如：焊球，設置于所述基板20的下表面一側。所述第二電連接件40電性連接所述導電層201。

所述金屬凸塊30，其材質可為金等導電金屬。該金屬凸塊30電性連接所述半導體芯片10上的第一電連接件101和所述基板20下表面的導電層201，使得所述第一電連接件101通過所述金屬凸塊30實現與所述第二電連接件40的電性連接。