[實(shí)用新型]多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320480111.8
• 申請日: 2013-08-06
• 公開（公告）號: CN203481242U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 柳青;P·卡雷;N·勞貝特
• 申請（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L27/092
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，包括：

襯底；

多個半導(dǎo)體鰭，從所述襯底向上延伸并且沿著所述襯底被間隔開，每個半導(dǎo)體鰭具有相對的第一端和第二端以及在所述第一端與所述第二端之間的中間部分，所述多個半導(dǎo)體鰭中的最外鰭在其外側(cè)表面上包括外延生長阻擋物；

至少一個柵極，覆蓋所述半導(dǎo)體鰭的所述中間部分；

在所述半導(dǎo)體鰭之間的多個凸起外延半導(dǎo)體源極區(qū)域，與所述半導(dǎo)體鰭的所述第一端相鄰；以及

在所述半導(dǎo)體鰭之間的多個凸起外延半導(dǎo)體漏極區(qū)域，與所述半導(dǎo)體鰭的所述第二端相鄰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述外延生長阻擋物包括化合物，所述化合物包括半導(dǎo)體以及碳和氟中的至少一項(xiàng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述多個半導(dǎo)體鰭包括硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述多個半導(dǎo)體鰭包括第一組P溝道鰭和從所述第一組P溝道鰭間隔開的第二組N溝道鰭以限定互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體鰭型場效應(yīng)晶體管器件。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述至少一個柵極包括用于所述第一組P溝道鰭和所述第二組N溝道鰭中的每個溝道鰭的相應(yīng)柵極。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，還包括耦合到所述柵極并且從所述襯底向上延伸而且從所述半導(dǎo)體鰭間隔開的柵極接觸區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，還包括：

源極接觸區(qū)域，耦合到所述多個半導(dǎo)體鰭的所述第一端；以及

漏極接觸區(qū)域，耦合到所述多個半導(dǎo)體鰭的所述第二端。

8.一種多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，包括：

襯底；

多個硅鰭，從所述襯底向上延伸并且沿著所述襯底被間隔開，每個硅鰭具有相對的第一端和第二端以及在所述第一端與所述第二端之間的中間部分，所述多個硅鰭中的最外鰭在其外側(cè)表面上包括外延生長阻擋物，并且所述外延生長阻擋物包括化合物，所述化合物包括硅以及碳和氟中的至少一項(xiàng)；

至少一個柵極，覆蓋所述硅鰭的所述中間部分；

在所述硅鰭之間的多個凸起外延半導(dǎo)體源極區(qū)域，與所述硅鰭的所述第一端相鄰；以及

在所述硅鰭之間的多個凸起外延半導(dǎo)體漏極區(qū)域，與所述硅鰭的所述第二端相鄰。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述多個硅鰭包括第一組P溝道鰭和從所述第一組P溝道鰭間隔開的第二組N溝道鰭以限定互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體鰭型場效應(yīng)晶體管。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，所述至少一個柵極包括用于所述第一組P溝道鰭和所述第二組N溝道鰭中的每個溝道鰭的相應(yīng)柵極。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，還包括耦合到所述柵極并且從所述襯底向上延伸而且從所述硅鰭間隔開的柵極接觸區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多鰭鰭型場效應(yīng)晶體管器件，其特征在于，還包括：

源極接觸區(qū)域，耦合到所述多個硅鰭的所述第一端；以及

漏極接觸區(qū)域，耦合到所述多個硅鰭的所述第二端。