[實(shí)用新型]電子器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320477988.1
• 申請(qǐng)日: 2013-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN203690303U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳青;N·勞貝特;P·卡雷;S·波諾斯;M·維納特;B·多麗絲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體公司;國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司;法國(guó)原子能及替代能源委員會(huì)
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L21/762
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種電子器件，其特征在于，包括：

襯底；

覆蓋所述襯底的掩埋氧化物層；

覆蓋所述掩埋氧化物層的至少一個(gè)半導(dǎo)體器件；以及

在所述襯底中并且與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件相鄰的至少一個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域，所述至少一個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域與所述襯底限定側(cè)壁表面并且包括：

對(duì)所述側(cè)壁表面的底部分加襯的氧化物層，

對(duì)所述側(cè)壁表面的在所述底部分以上的頂部分加襯的氮化物層，以及

在所述氮化物層和所述氧化物層內(nèi)的絕緣材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述氮化物層包括氮化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述氧化物層包括氧化鉿層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述氮化物層在所述掩埋氧化物層以上延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述氧化物層在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件以下終止。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣材料不同于所述氮化物層和所述氧化物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣材料包括二氧化硅。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件包括至少一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其特征在于，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管包括凸起的源極區(qū)域和漏極區(qū)域和在所述凸起的源極區(qū)域與漏極區(qū)域之間的溝道區(qū)域。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，所述至少一個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件的相對(duì)側(cè)上包括多個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域。

11.一種電子器件，其特征在于，包括：

襯底；

覆蓋所述襯底的掩埋氧化物層；

覆蓋所述掩埋氧化物層的至少一個(gè)半導(dǎo)體器件；以及

在所述襯底中并且與所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件相鄰的至少一個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域，所述至少一個(gè)淺溝槽隔離區(qū)域與所述襯底限定側(cè)壁表面并且包括：

對(duì)所述側(cè)壁表面的底部分加襯的氧化鉿層，

對(duì)所述側(cè)壁表面的在所述底部分以上的頂部分加襯的氮化硅層，以及

在所述氮化硅層和所述氧化鉿層內(nèi)的絕緣材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件，其特征在于，所述氮化硅層在所述掩埋氧化物層以上延伸。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件，其特征在于，所述氧化鉿層在所述至少一個(gè)半導(dǎo)體器件以下終止。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣材料不同于所述氮化物層和所述氧化物層。